[发明专利]一种管式镀膜机二合一方法在审
申请号: | 201910578233.2 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110416354A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 赵帅;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 徐州谷阳新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 221300 江苏省徐州市邳*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背膜 二合一 镀膜机 种管 加工 操作流程 产品搬运 镀膜设备 硅片翻转 机械手 膜工序 上下料 翻转 合并 | ||
1.一种管式镀膜机二合一方法,其特征在于,所述二合一方法将背膜、正膜使用一台镀膜设备,背膜、正膜工序合并,采用机械手将硅片翻转,先加工背膜,待背膜加工完经翻转后加工正膜,减少工序间产品搬运及上下料操作流程。
2.根据权利要求1所述的一种管式镀膜机二合一方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤一,将放有硅片的花篮放置于自动化上料区;
步骤二,用皮带将硅片传送到机械手的抓片区域内;
步骤三,将机械手抓片区硅片插入石墨舟内;
步骤四,插满硅片的石墨舟进管,进行背面氮化硅沉积;
步骤五,在背膜工艺完成后,将硅片传送至插片区,将硅片取出,放置于下料放置区;
步骤六,机械手翻转180°,将下料放置区硅片取出,插入石墨舟内;
步骤七,为正面镀膜,插满硅片的石墨舟进管,运行正膜工艺,进行正面氮化硅沉积;
步骤八,正膜工艺完成后,石墨舟传送至插片区,将硅片取出,放置于下料放置区;
步骤九,将背膜、正膜工艺完成的硅片传送至花篮;
步骤十,花篮插满后自动下料,此时正背膜工艺均已完成,流入下道工序流程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的