[发明专利]存储器阵列中的编程进程监视

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器阵列，其包含多层级存储器单元；

缓冲电路系统；

存储器控制单元，其在操作上耦合到所述存储器阵列且经配置以将第一数据加载到所述缓冲电路系统中，且使用多个编程遍次对多个编程层级进行编程来用所述第一数据对所述多层级存储器单元进行编程；

编程进程指示器，其经配置以随着所述多个编程层级的所述编程进展而指示编程层级的完成；且

其中所述存储器控制单元进一步经配置以根据所述编程进程指示器的完成的指示加载第二数据用于所述多层级存储器单元的编程。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述编程进程指示器包含：

编程进程寄存器；以及

逻辑电路系统，其经配置以在每一编程层级完成后即刻更新所述编程进程指示器的值。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，

其中所述存储器控制单元经配置以：

起始将所述多层级存储器单元的第一部分编程到第一编程层级的第一电压阈值；以及

起始将所述多层级存储器单元的额外部分编程到对应于额外编程层级的额外电压阈值，包含对应于最终编程层级的最终电压阈值；

其中所述编程进程指示器经配置以指示电压阈值层级的编程的完成；且

其中所述存储器控制单元进一步经配置以响应于所述编程进程指示器指示所述最终编程层级完成而加载所述第二数据。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其包含：

感测电路系统，其经配置以确定多层级存储器单元的编程后电压阈值；

其中所述存储器控制单元经配置以起始将所述多层级存储器单元的不同部分编程到不同电压阈值；

其中所述编程进程指示器经配置以产生所述不同电压阈值的编程后电压阈值的检验的指示；且

其中所述存储器控制单元进一步经配置以响应于所述编程进程指示器指示指定编程后电压阈值的检验而加载所述第二数据。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，

其中所述存储器控制单元经配置以起始将所述多层级存储器单元的不同部分编程到八个电压阈值分布中的一个；

其中所述编程进程指示器经配置以呈现对应于对应电压阈值分布的编程的检验的计数；且

其中所述存储器控制单元经配置以根据所述编程进程指示器的指定计数加载所述第二数据。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其包含：

感测电路系统，其经配置以确定多层级存储器单元的编程后电压阈值；

其中所述编程进程指示器经配置以指示待编程的不到全部所述多层级存储器单元的指定部分的编程的检验。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，

其中所述存储器控制单元经配置以起始所述多层级存储器单元的至少一部分的擦除；且

其中所述编程进程指示器经配置以产生所述多层级存储器单元的所述至少一部分的所述擦除的检验的指示。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器控制单元经配置以执行第一编程遍次以将所述多层级存储器单元的至少一部分编程到作为擦除层级的第一编程层级，且所述编程进程指示器经配置以产生所述第一编程层级的完成的指示。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述编程进程指示器经配置以产生经执行以完成编程层级的编程遍次的数目的计数。

10.一种对存储器阵列的多层级存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

将第一数据加载到页缓冲区中；

使用多个编程遍次对多个编程层级进行编程来用所述第一数据对所述多层级存储器单元进行编程；

响应于所述多个编程层级的编程层级的编程的完成更新编程进程指示器的值；以及

根据所述编程进程指示器的所述值将第二数据加载到所述页缓冲区中用于所述多层级存储器单元的编程。