[发明专利]存储器阵列中的编程进程监视在审

专利信息
申请号: 201910578632.9 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110659177A 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: G·卡列洛;A·波利奥;F·罗里 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F11/30 分类号: G06F11/30;G06F12/02;G06F12/0882
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 编程 编程进程 存储器控制单元 存储器单元 存储器阵列 多层级 指示器 层级 第一数据 缓冲电路 加载 配置 存储器装置 耦合到 监视 申请
【说明书】:

本申请涉及存储器阵列中的编程进程监视。一种存储器装置包括包含多层级存储器单元的存储器阵列、缓冲电路系统、存储器控制单元和编程进程指示器。所述存储器控制单元在操作上耦合到所述存储器阵列且经配置以将第一数据加载到所述缓冲电路系统中,且使用多个编程遍次对多个编程层级进行编程来用所述第一数据对所述多层级存储器单元进行编程。所述编程进程指示器经配置以随着所述多个编程层级的所述编程进展而指示编程层级的完成。所述存储器控制单元进一步经配置以根据所述编程进程指示器的完成的指示加载第二数据用于所述多层级存储器单元的编程。

技术领域

发明涉及存储器,特定来说涉及存储器阵列中的编程进程监视。

背景技术

存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过当未被供电时保持所存储的数据而提供持久的数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁阻随机存取存储器(MRAM)、3D XPointTM存储器等等。

存储器单元通常布置成矩阵或阵列。多个矩阵或阵列可组合到存储器装置中,且多个装置可组合以形成存储器系统的存储容量,例如固态驱动器(SSD)、通用快闪存储(UFSTM)装置、MultiMediaCard(MMC)固态存储装置、嵌入式MMC装置(eMMCTM)等。

存储器系统可包含一或多个处理器或其它存储器控制器,其执行逻辑函数以操作所述存储器装置或与外部系统介接。存储器矩阵或阵列可包含组织成若干物理页的若干存储器单元块。存储器系统可从主机接收与存储器操作相关联的命令,例如用以在存储器装置和主机之间传递数据(例如,用户数据和相关联完整性数据,比如误差数据和地址数据等)的读取或写入操作、用以从存储器装置擦除数据的擦除操作,或执行一或多个其它存储器操作。

利用存储器作为用于多种多样的电子应用的易失性和非易失性数据存储装置,所述电子应用包含例如个人计算机、便携式存储棒、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)、电影播放器和其它电子装置。存储器单元可布置成阵列,其中所述阵列在存储器装置中使用。

许多电子装置包含若干主要组件:主机处理器(例如,中央处理单元(CPU)或其它主处理器);主存储器(例如,一或多个易失性或非易失性存储器装置,比如动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、移动或低电力双数据速率同步DRAM(DDR SDRAM)等);以及存储装置(例如,非易失性存储器(NVM)装置,比如快闪存储器、只读存储器(ROM)、SSD、MMC,或其它存储卡结构或组合件,或者易失性和非易失性存储器的组合等)。在某些实例中,电子装置可包含用户接口(例如,显示器、触摸屏、键盘、一或多个按钮等)、图形处理单元(GPU)、功率管理电路系统、基带处理器或一或多个收发器电路等。

发明内容

根据本申请的一实施例,一种存储器装置包括:存储器阵列,其包含多层级存储器单元;缓冲电路系统;存储器控制单元,其在操作上耦合到所述存储器阵列且经配置以将第一数据加载到所述缓冲电路系统中,且使用多个编程遍次对多个编程层级进行编程来用所述第一数据对所述多层级存储器单元进行编程;编程进程指示器,其经配置以随着所述多个编程层级的所述编程进展而指示编程层级的完成;且其中所述存储器控制单元进一步经配置以根据所述编程进程指示器的完成的指示加载第二数据用于所述多层级存储器单元的编程。

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