[发明专利]测试结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910579197.1 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN112151505A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 张志伟 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/48
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 测试 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种测试结构,其特征在于,所述测试结构包括:

衬底,所述衬底包括切割区;

测试电路,形成于所述切割区;

止裂槽,形成于所述切割区,且所述止裂槽排布于所述测试电路的侧部;

封口层,形成于所述衬底表面,覆盖所述止裂槽以使所述止裂槽内形成气体间隙。

2.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述止裂槽至少部分环绕所述测试电路。

3.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述止裂槽至少沿所述切割区的切割方向排布于所述测试电路的两侧。

4.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述止裂槽的深度大于所述测试电路,所述止裂槽的深宽比大于3:1。

5.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述测试结构还包括测试焊盘,所述测试焊盘位于所述切割区,和所述测试电路连接。

6.如权利要求5所述的测试结构,其特征在于,所述封口层还包括第一开口凹槽,所述第一开口凹槽位于所述测试电路在所述封口层的投影区,所述测试焊盘部分被所述封口层覆盖,所述测试焊盘部分暴露于所述第一开口凹槽。

7.如权利要求6所述的测试结构,其特征在于,所述测试结构还包括:

钝化层,形成于所述封口层远离所述衬底的一侧,且所述钝化层上设置有第二开口凹槽,所述第二开口凹槽位于所述第一开口凹槽在所述钝化层上的投影区域;

保护层,形成于所述钝化层远离所述衬底的一侧,且所述保护层上设置有第三开口凹槽,所述第三开口凹槽位于所述第一开口凹槽在所述保护层上的投影区域。

8.一种测试结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

提供一衬底,所述衬底上设置有用于切割的切割区,所述切割区设置有测试电路;

在所述测试电路的侧部形成止裂槽;

在所述衬底的第一表面形成封口层,所述封口层覆盖所述止裂槽,所述衬底的第一表面为所述衬底上设置所述测试电路的表面。

9.如权利要求8所述的测试结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:

在所述封口层远离所述衬底的一侧形成钝化层;

在所述钝化层远离所述衬底的一侧形成保护层;

通过刻蚀,在所述保护层形成第三开口凹槽,在所述钝化层形成第二开口凹槽,在所述封口层形成第一开口凹槽,所述第三开口凹槽位于所述测试电路在所述保护层的投影区域,所述第二开口凹槽位于所述测试电路在所述钝化层的投影区域,所述第一开口凹槽位于所述测试电路在所述封口层的投影区域。

10.如权利要求9所述的测试结构的制作方法,其特征在于,所述测试结构包括检测焊盘,所述测试焊盘部分被所述封口层覆盖,所述测试焊盘部分暴露于所述第一开口凹槽。

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