[发明专利]测试结构及其制作方法

说明书

本公开是关于一种测试结构及其制作方法，所述测试结构包括：衬底、测试电路、止裂槽和封口层，所述衬底包括切割区；测试电路形成于所述切割区；止裂槽形成于所述切割区，且所述止裂槽排布于所述测试电路的侧部；封口层形成于所述衬底表面，覆盖所述止裂槽以使所述止裂槽内形成气体间隙。通过止裂槽解决了在沿切割道切割晶圆时，由于测试电路中的金属层的影响导致切割道龟裂，将切割应力传递至晶粒区域，进而可能破坏晶粒区的问题，有利于提高产品良品率和稳定性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种测试结构及其制作方法。

背景技术

随着技术的发展和进步，集成电路的应用越来越广泛，晶圆是集成电路的主要材料之一，在集成电路制作过程中，需要对晶圆进行切割以形成多个晶粒。

为了方便切割在晶圆中通常设置有用于切割的切割区，在切割区会设置检测电路，用于测试晶粒中元件的性能，该测试电路中存在大量的金属导线，金属导线附着于切割区表面。在晶圆切割过程中，切刀接触到金属导线时，易拉扯导线导致切割区产生龟裂，进而可能破坏晶粒区，导致产品良品率低，并且降低产品的稳定性。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种测试结构及其制作方法，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致晶圆切割时由于测试电路金属线导致的切割道龟裂，进而破坏晶粒区的问题。

根据本公开的第一方面，提供一种测试结构，所述测试结构包括：

衬底，所述衬底包括切割区；

测试电路，形成于所述切割区；

止裂槽，形成于所述切割区，且所述止裂槽排布于所述测试电路的侧部；

封口层，形成于所述衬底表面，覆盖所述止裂槽以使所述止裂槽内形成气体间隙。

根据本公开的一实施方式，所述止裂槽至少部分环绕所述测试电路。根据本公开的一实施方式，所述止裂槽至少沿所述切割区的切割方向排布于所述测试电路的两侧。

根据本公开的一实施方式，所述止裂槽的深度大于所述测试电路，所述止裂槽的深宽比大于3:1。

根据本公开的一实施方式，所述测试结构还包括测试焊盘，所述测试焊盘位于所述切割区，和所述测试电路连接。

根据本公开的一实施方式，所述封口层还包括第一开口凹槽，所述第一开口凹槽位于所述测试电路在所述封口层投影区，所述测试焊盘部分被所述封口层覆盖，所述测试焊盘部分暴露于所述第一开口凹槽。

根据本公开的一实施方式，所述晶圆还包括：

钝化层，形成于所述封口层远离所述衬底的一侧，且所述钝化层上设置有第二开口凹槽，所述第二开口凹槽位于所述第一开口凹槽在所述钝化层上的投影区域；

保护层，形成于所述钝化层远离所述衬底的一侧，且所述保护层上设置有第三开口凹槽，所述第三开口凹槽位于所述第一开口凹槽在所述保护层上的投影区域。

根据本公开的第二方面，提供一种测试结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供一衬底，所述衬底上设置有用于切割的切割区，所述切割区设置有测试电路；

在所述切割区上所述测试电路的侧部形成止裂槽；

在所述衬底的第一表面形成封口层，所述封口层覆盖所述止裂槽，所述衬底的第一表面为衬底上设置所述测试电路的表面。

根据本公开的一实施方式，所述制作方法还包括：