[发明专利]晶圆及其制作方法、半导体器件

权利要求书

1.一种晶圆制作方法，其特征在于，所述晶圆制作方法包括：

提供晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；

在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，所述硅通孔内填充有保护材料。

2.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，包括：

在所述晶圆本体的第一面所述切割道的侧部形成盲孔；

在所述盲孔内填充保护材料；

对所述晶圆本体的第二面进行减薄，直至暴露所述盲孔，所述第二面和所述第一面相对。

3.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，包括：

在第一晶圆本体上切割道侧部形成第一止裂硅通孔；

在所述第一止裂硅通孔内填充保护材料；

在第二晶圆本体上切割道侧部和所述第一止裂硅通孔对应的位置形成第二止裂硅通孔，所述第一晶圆本体和所述第二晶圆本体堆叠设置；

在所述第二止裂硅通孔填充所述保护材料。

4.如权利要求1-3任一项所述的晶圆制作方法，其特征在于，在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，包括：

在所述切割道延伸方向的两侧形成止裂硅通孔。

5.如权利要求4所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述止裂硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布的硅通孔。

6.如权利要求4所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述切割道的一侧形成有多行止裂硅通孔。

7.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述止裂硅通孔的宽度为2微米-20微米，所述止裂硅通孔的深度为15微米-150微米。

8.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述保护材料包括：铜、钨、铝、钽、钛、氮化钽、氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、聚酰亚胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。

9.如权利要求8所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述止裂硅通孔中设置有气隙孔。

10.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括：

晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；

止裂硅通孔，设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内填充有保护材料。

11.如权利要求10所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔形成于所述切割道延伸方向的两侧。

12.如权利要求11所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布的硅通孔。

13.如权利要求11所述的晶圆，其特征在于，所述切割道的一侧形成有多行止裂硅通孔。

14.如权利要求10所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔的宽度为2微米-20微米，所述止裂硅通孔的深度为15微米-150微米。

15.如权利要求10所述的晶圆，其特征在于，所述保护材料包括：铜、钨、铝、钽、钛、氮化钽、氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、聚酰亚胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。

16.如权利要求15所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔中设置有气隙孔。

17.一种半导体器件，其特征在于，包括多层如权利要求10-16任一项所述的晶圆，多层所述晶圆堆叠设置。