[发明专利]晶圆及其制作方法、半导体器件

说明书

本公开是关于一种晶圆及其制作方法、半导体器件，所述晶圆制作方法包括：提供晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，所述硅通孔内填充有保护材料。通过在切割道两侧设置填充有保护材料的止裂硅通孔，在进行晶圆切割时，防止切割应力对晶粒区造成破坏，通过止裂硅通孔能够有效地减小切割道的宽度，有利于切割道的微缩，提高晶圆的有效利用率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆及其制作方法、半导体器件。

背景技术

随着技术的发展和进步，集成电路芯片的集成度越来越高，单层芯片已无法满足使用需求，多层堆叠式芯片的应用越来越广泛，堆叠式芯片通过多层堆叠的晶圆切割得到。

多层堆叠的晶圆包括晶粒区和切割区，在切割切割区时，由于切割应力等的影响可能导致晶粒区损坏，为了保证在切割时不损坏晶粒区，通常会设置较大面积的切割区，切割区面积过大导致晶圆的有效利用率降低进而导致芯片成本升高。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种晶圆及其制作方法、半导体器件，进而至少在一定程度上克服由于相关技术中晶圆切割区面积较大，导致的晶圆有效利用率低的问题。

根据本公开的第一方面，提供一种晶圆制作方法，所述晶圆制作方法包括：

提供一晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；

在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，所述硅通孔内填充有保护材料。

根据本公开的一实施方式，所述在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，包括：

在所述晶圆本体的第一面所述切割道的侧部形成盲孔；

在所述盲孔内填充保护材料；

对所述晶圆本体的第二面进行减薄，直至暴露所述盲孔，所述第二面和所述第一面相对。

根据本公开的一实施方式，所述在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，包括：

在第一晶圆本体上切割道侧部形成第一止裂硅通孔；

在所述第一止裂硅通孔内填充保护材料；

在第二晶圆本体上切割道侧部和第一止裂硅通孔对应的位置形成第二止裂硅通孔，所述第一晶圆本体和所述第二晶圆本体堆叠设置；

在所述第二止裂硅通孔填充所述保护材料。

根据本公开的一实施方式，在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，包括：

在所述切割道延伸方向的两侧形成止裂硅通孔。

根据本公开的一实施方式，所述止裂硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布的硅通孔。

根据本公开的一实施方式，所述切割道的一侧形成有多行止裂硅通孔。

根据本公开的一实施方式，所述止裂硅通孔的宽度为2微米-20微米，所述止裂硅通孔的深度为15微米-150微米。

根据本公开的一实施方式，所述保护材料包括：铜、钨、铝、钽、钛、氮化钽、氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、聚酰亚胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。

根据本公开的一实施方式，所述止裂硅通孔中设置有气隙孔。

根据本公开的第二方面，提供一种晶圆，所述晶圆包括：

晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；