[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的源掺杂层以及凸出于所述源掺杂层的半导体柱，所述半导体柱为T形结构，所述半导体柱包括第一半导体柱以及位于所述第一半导体柱上的第二半导体柱，所述第二半导体柱的宽度大于所述第一半导体柱的宽度；

形成栅极结构，所述栅极结构包围所述第一半导体柱的部分侧壁，所述栅极结构露出所述第二半导体柱；

在所述第二半导体柱的顶部形成漏掺杂层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述半导体柱的步骤包括：在所述源掺杂层上形成保护层，所述保护层中形成有凹槽，所述凹槽的剖面为T形，所述凹槽包括底部凹槽以及位于所述底部凹槽上的顶部凹槽，所述顶部凹槽的开口宽度大于所述底部凹槽的开口宽度，所述底部凹槽的顶部与所述顶部凹槽的底部相贯通；

在所述凹槽中形成所述半导体柱，其中，所述半导体柱位于所述底部凹槽中的部分作为所述第一半导体柱，所述半导体柱位于所述顶部凹槽中的部分作为所述第二半导体柱。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：在所述源掺杂层上形成初始保护层；

在所述初始保护层中形成露出所述源掺杂层的初始凹槽；在所述初始凹槽中形成填充层，所述填充层顶部低于初始所述保护层顶部；

沿垂直于所述初始凹槽侧壁的方向，刻蚀所述填充层露出的初始凹槽侧壁，形成所述顶部凹槽，剩余所述初始保护层作为所述保护层；

去除所述填充层，与所述顶部凹槽相贯通的剩余初始凹槽作为所述底部凹槽。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用外延工艺，在所述凹槽中形成所述半导体柱。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述半导体柱之后，形成所述栅极结构之前，还包括：回刻蚀部分厚度的所述保护层，剩余所述保护层作为隔离层；

形成所述栅极结构的步骤中，所述栅极结构包围所述隔离层露出的所述第一半导体柱的部分侧壁。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺，刻蚀所述填充层露出的初始凹槽侧壁。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用SiCoNi工艺或氢氟酸溶液刻蚀所述填充层露出的初始凹槽侧壁。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述初始保护层，形成所述初始凹槽。

9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮氧化硅。

10.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺回刻蚀部分厚度的所述保护层。

11.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料为BARC材料、ODL材料、SOC材料、光刻胶、DARC材料或DUO材料。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二半导体柱的高度为所述半导体柱总高度的五分之一至三分之一。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二半导体柱的宽度为所述第一半导体柱的宽度的1.5倍到3倍。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二半导体柱的宽度为8纳米至20纳米。