[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：基底和设于所述基底上的有源层，其特征在于，

所述有源层背离所述基底的表面上设有凹槽；

所述薄膜晶体管还包括第一电极、第二电极，所述有源层包括分别与所述第一电极和所述第二电极对应接触的两个接触部以及位于两所述接触部之间的中间部；

所述凹槽均设置在所述中间部；

所述薄膜晶体管还包括设于所述有源层远离所述基底一侧的栅绝缘层，设于所述栅绝缘层远离所述基底一侧的栅极；

所述栅极在所述基底上的正投影与所述凹槽在所述基底上的正投影不交叠。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽为条状，具有长度方向，所述长度方向垂直于从所述第一电极指向所述第二电极的方向；

所述凹槽槽底靠近所述基底的一侧设置有导电增强结构，所述导电增强结构的导电性能大于所述中间部的其它部分的导电性能。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述导电增强结构在垂直所述基底的方向上贯穿所述有源层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述导电增强结构为导体化的半导体材料。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有源层设有多个凹槽，所述多个凹槽沿从所述第一电极指向所述第二电极的方向间隔排布。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述凹槽具有与长度方向垂直的宽度方向，所述凹槽在所述宽度方向上的尺寸为8nm至500nm。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

设于所述有源层远离所述基底一侧的栅绝缘层，设于所述栅绝缘层远离所述基底一侧的栅极，部分所述栅绝缘层位于所述凹槽内。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，

形成所述栅绝缘层的材料包含高致密材料，所述栅绝缘层的厚度为5nm至50nm。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述凹槽内填充有有机绝缘膜。

10.一种阵列基板，包括多个薄膜晶体管，其特征在于，

所述薄膜晶体管为权利要求1至9中任一所述的薄膜晶体管。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，

所述基底为可弯折基底并具有预定弯折方向，在平行所述基底方向上，所述凹槽为条状，具有长度方向，且所述长度方向垂直于所述预定弯折方向。

12.一种显示装置，包括如权利要求10或11所述的阵列基板。

13.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成有源层，其特征在于，在所述有源层背离所述基底的表面形成有凹槽;

所述制备方法还包括形成薄膜晶体管的第一电极、第二电极和栅极的步骤；其中，

所述有源层包括分别与所述第一电极和所述第二电极对应接触的两个接触部以及位于两所述接触部之间的中间部；所述凹槽均设置在所述中间部；

在所述有源层远离所述基底一侧形成有的栅绝缘层，所述栅极形成于所述栅绝缘层远离所述基底一侧；所述栅极在所述基底上的正投影与所述凹槽在所述基底上的正投影不交叠。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，

所述凹槽通过纳米压印工艺形成。