[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201910579865.0 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110289308B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 朱夏明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/41 | 分类号: | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的薄膜晶体管容易因为弯折而产生裂纹或者断裂的问题。本发明的薄膜晶体管,包括:基底和设于所述基底上的有源层,所述有源层背离所述基底的表面上设有凹槽。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
背景技术
可弯折基板作为显示领域的一种新型基板因其可弯折的性能受到了广泛的关注,被应用于可弯折手机、可穿戴设备等技术领域。
目前,可弯折基板的可弯折程度有所限制,例如,弯折的曲率半径不能小于1mm,造成上述限制的原因之一是在可弯折基板弯折过程中,可弯折基板内位于弯折区域的驱动电路的各种结构的膜层会产生应力,可弯折基板的弯折程度越大,则膜层产生的应力也越大,因此,当可弯折基板进行较大程度的弯折时容易造成膜层(尤其是无机膜层)产生裂纹或者断裂,从而造成驱动电路的电学性能的劣化或者失效。
发明内容
本发明至少部分解决现有的驱动电路的膜层容易因为弯折而产生裂纹或者断裂的问题,提供了一种提升了耐弯折性能的薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
本发明实施例提供一种薄膜晶体管,包括:基底和设于所述基底上的有源层,
所述有源层背离所述基底的表面上设有凹槽。
可选地,薄膜晶体管还包括第一电极、第二电极,所述有源层包括分别与所述第一电极和所述第二电极对应接触的两个接触部以及位于两所述接触部之间的中间部;
所述凹槽均设置在所述中间部。
可选地,所述凹槽为条状,具有长度方向,所述长度方向垂直于从所述第一电极指向所述第二电极的方向;
所述凹槽槽底靠近所述基底的一侧设置有导电增强结构,所述导电增强结构的导电性能大于所述中间部的其它部分的导电性能。
可选地,所述导电增强结构在垂直所述基底的方向上贯穿所述有源层。
可选地,所述导电增强结构为导体化的半导体材料。
可选地,薄膜晶体管还包括设于所述有源层远离所述基底一侧的栅绝缘层,设于所述栅绝缘层远离所述基底一侧的栅极;
所述栅极在所述基底上的正投影与所述凹槽在所述基底上的正投影不交叠。
可选地,所述有源层设有多个凹槽,所述多个凹槽沿从所述第一电极指向所述第二电极的方向间隔排布。
可选地,所述凹槽具有与所述长度方向垂直的宽度方向,所述凹槽在所述宽度方向上的尺寸为8nm至500nm。
可选地,薄膜晶体管还包括:
设于所述有源层远离所述基底一侧的栅绝缘层,设于所述栅绝缘层远离所述基底一侧的栅极,部分所述栅绝缘层位于所述凹槽内。
可选地,形成所述栅绝缘层的材料包含高致密材料,所述栅绝缘层的厚度为5nm至50nm。
可选地,所述凹槽内填充有有机绝缘膜。
本发明实施例提供一种阵列基板,包括多个薄膜晶体管,
所述薄膜晶体管为上述的薄膜晶体管。
可选地,所述基底为可弯折基底并具有预定弯折方向,在平行所述基底方向上,所述凹槽为条状,具有长度方向,且所述长度方向垂直于所述预定弯折方向。
本发明实施例提供一种显示装置,包括上述的阵列基板。
本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法,包括:
提供一基底;
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