[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

存储单元；

字线，连接在所述存储单元；

源极线，连接在所述存储单元；及

控制电路；且

所述控制电路构成为，

对所述字线施加第1电压，在施加所述第1电压后，施加大于所述第1电压的第2电压，在施加所述第2电压后，施加大于所述第1电压且小于所述第2电压的第3电压，

对应于所述字线被施加所述第2电压的时刻而对所述源极线施加第4电压，在施加所述第4电压后，施加小于所述第4电压的第5电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

还具备连接在所述存储单元的感测放大器，且

所述感测放大器在所述字线被施加所述第3电压的期间，感测保存在所述存储单元的数据。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述控制电路在所述字线被施加所述第2电压的期间，对所述源极线施加所述第4电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第4电压的大小与所述第5电压的大小之差和所述第2电压的大小与所述第3电压的大小之差一致。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述控制电路构成为，在对所述源极线施加所述第5电压后，施加大于所述第5电压的第6电压。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路构成为，

在对所述字线施加所述第3电压后，施加大于所述第3电压的第7电压，在施加所述第7电压后，施加大于所述第3电压且小于所述第7电压的第8电压，且

在对所述源极线施加所述第5电压后，对应于所述字线被施加所述第7电压的时刻，施加大于所述第5电压的第9电压，在施加所述第9电压后，施加所述第5电压。

7.一种半导体存储装置，具备：

第1存储单元；

第2存储单元；

第1源极线，连接在所述第1存储单元；

第2源极线，连接在所述第2存储单元；

第1晶体管，连接在所述第1源极线；及

第2晶体管，连接在所述第2源极线；且

所述第1源极线与所述第2源极线经由第1电阻连接，

所述第1晶体管的栅极被施加第1控制信号，且

所述第2晶体管的栅极被施加与所述第1控制信号不同的第2控制信号。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其还具备电流供给电路，该电流供给电路对所述第1源极线与所述第2源极线选择性地供给电流。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述电流供给电路具备：

电流源；

第3晶体管，连接在所述电流源与所述第1源极线；及

第4晶体管，连接在所述电流源与所述第2源极线。

10.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第1晶体管的第1端子连接在所述第1源极线，所述第2晶体管的第2端子连接在所述第2源极线，所述第1晶体管的第3端子与所述第2晶体管的第4端子连接。

11.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其还具备：

第3存储单元

第3源极线，连接在所述第3存储单元及

第5晶体管，连接在所述第3源极线；且

所述第2源极线与所述第3源极线经由第2电阻连接，

所述第5晶体管的栅极被施加与所述第1控制信号及所述第2控制信号均不相同的第3控制信号。