[发明专利]显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法有效
申请号: | 201910580345.1 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110265469B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 唐静;夏宇飞 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 显示 制作方法 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括透明显示区,所述透明显示区包括:
透光基底,所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区;
位于所述第一像素区的第一子像素;所述第一子像素自下而上包括第一电极、第一发光结构层与第二电极;以及
位于所述第一非像素区的第一像素定义层与隔断层,所述第一像素定义层具有开口;所述隔断层包括第一区段与第二区段,所述第一区段位于所述第一像素定义层上,所述第二区段悬空于所述开口,用于隔断相邻所述第一像素区的第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述开口在上下方向上贯穿或部分贯穿所述第一像素定义层。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二区段的长度范围为1μm~2μm。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二区段的厚度范围为50nm~100nm。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述开口的深度大于所述第二电极的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述开口的深度大于400nm。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素定义层的材料为无机透明材料。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素定义层的材料为有机透明材料。
9.根据权利要求1至8任一项所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素为被动驱动方式发光;位于一列的各个第一子像素的所述第一电极电连接,位于一行的各个第一子像素的所述第二电极电连接,所述隔断层与所述开口都沿行方向延伸;或位于一行的各个第一子像素的所述第一电极电连接,位于一列的各个第一子像素的所述第二电极电连接,所述隔断层与所述开口都沿列方向延伸。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,位于一列或一行的相邻第一电极之间具有连接线,所述连接线用于将对应列或行的各个第一电极电连接。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述连接线上具有绝缘层,且所述绝缘层暴露在所述开口内。
12.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述连接线为直线、折线或曲线。
13.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,位于一列或一行的各个第一电极连接成电极条。
14.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,位于所述第一非像素区的电极条上具有绝缘层,且所述绝缘层暴露在所述开口内。
15.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极延伸至第一非像素区;所述第一非像素区内的第一电极包埋在第一像素定义层内,或恰好暴露在所述开口内。
16.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括非透明显示区;所述非透明显示区包括:
透光基底,所述透光基底包括交替分布的第二像素区与第二非像素区;
位于所述第二像素区的第二子像素;所述第二子像素自下而上包括第三电极、第二发光结构层与第四电极;以及
位于所述第二非像素区的第二像素定义层。
17.根据权利要求16所述的显示基板,其特征在于,所述第二子像素为主动驱动方式发光,所述第三电极为块状结构。
18.根据权利要求16所述的显示基板,其特征在于,所述第四电极为面电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的