[发明专利]显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201910580345.1 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110265469B 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 唐静;夏宇飞 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 代理人: 方志炜
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 及其 显示 制作方法
【权利要求书】:

1.一种显示基板,其特征在于,包括透明显示区,所述透明显示区包括:

透光基底,所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区;

位于所述第一像素区的第一子像素;所述第一子像素自下而上包括第一电极、第一发光结构层与第二电极;以及

位于所述第一非像素区的第一像素定义层与隔断层,所述第一像素定义层具有开口;所述隔断层包括第一区段与第二区段,所述第一区段位于所述第一像素定义层上,所述第二区段悬空于所述开口,用于隔断相邻所述第一像素区的第二电极。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述开口在上下方向上贯穿或部分贯穿所述第一像素定义层。

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二区段的长度范围为1μm~2μm。

4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二区段的厚度范围为50nm~100nm。

5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述开口的深度大于所述第二电极的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述开口的深度大于400nm。

7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素定义层的材料为无机透明材料。

8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素定义层的材料为有机透明材料。

9.根据权利要求1至8任一项所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素为被动驱动方式发光;位于一列的各个第一子像素的所述第一电极电连接,位于一行的各个第一子像素的所述第二电极电连接,所述隔断层与所述开口都沿行方向延伸;或位于一行的各个第一子像素的所述第一电极电连接,位于一列的各个第一子像素的所述第二电极电连接,所述隔断层与所述开口都沿列方向延伸。

10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,位于一列或一行的相邻第一电极之间具有连接线,所述连接线用于将对应列或行的各个第一电极电连接。

11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述连接线上具有绝缘层,且所述绝缘层暴露在所述开口内。

12.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述连接线为直线、折线或曲线。

13.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,位于一列或一行的各个第一电极连接成电极条。

14.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,位于所述第一非像素区的电极条上具有绝缘层,且所述绝缘层暴露在所述开口内。

15.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极延伸至第一非像素区;所述第一非像素区内的第一电极包埋在第一像素定义层内,或恰好暴露在所述开口内。

16.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括非透明显示区;所述非透明显示区包括:

透光基底,所述透光基底包括交替分布的第二像素区与第二非像素区;

位于所述第二像素区的第二子像素;所述第二子像素自下而上包括第三电极、第二发光结构层与第四电极;以及

位于所述第二非像素区的第二像素定义层。

17.根据权利要求16所述的显示基板,其特征在于,所述第二子像素为主动驱动方式发光,所述第三电极为块状结构。

18.根据权利要求16所述的显示基板,其特征在于,所述第四电极为面电极。

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