[发明专利]功率放大电路有效

专利信息
申请号: 201910582936.2 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110690859B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 荒屋敷聪;渡边一雄;田中聪 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/21;H03F3/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 赵琳琳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 放大 电路
【权利要求书】:

1.一种功率放大电路,具备:

下级差动对,被输入第1信号和第2信号;

上级差动对,设置于所述下级差动对的上级,输出与所述第1信号以及第2信号分别对应的第1放大信号以及第2放大信号;

合成器,对所述第1放大信号以及第2放大信号进行合成并输出合成信号;

第1电感器以及第2电感器;和

第1电容器以及第2电容器,

所述下级差动对包含:

第1晶体管,在集电极或漏极被供给第1电源电压,发射极或源极与接地连接,在基极或栅极被供给所述第1信号;和

第2晶体管,在集电极或漏极被供给所述第1电源电压,发射极或源极与接地连接,在基极或栅极被供给所述第2信号,

所述上级差动对包含:

第3晶体管,在集电极或漏极被供给第2电源电压,发射极或源极通过所述第1电感器而与接地连接,并且通过所述第1电容器而与所述第1晶体管的集电极或漏极连接;和

第4晶体管,在集电极或漏极被供给所述第2电源电压,发射极或源极通过所述第2电感器而与接地连接,并且通过所述第2电容器而与所述第2晶体管的集电极或漏极连接。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路,其中,

还具备:

第3电容器,一端与所述第3晶体管的基极或栅极连接,另一端与接地连接;和

第4电容器,一端与所述第4晶体管的基极或栅极连接,另一端与接地连接,

所述第3电容器以及第4电容器的电容值小于所述第1电容器以及第2电容器的电容值。

3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路,其中,

还具备:

第5电容器以及第6电容器,分别连接在所述第1晶体管以及第2晶体管中的一个晶体管的集电极或漏极与另一个晶体管的基极或栅极之间;和

第7电容器以及第8电容器,分别连接在所述第3晶体管以及第4晶体管中的一个晶体管的集电极或漏极与另一个晶体管的基极或栅极之间,

所述第5电容器至第8电容器的电容值小于所述第1电容器以及第2电容器的电容值。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的功率放大电路,其中,

所述第1电源电压以及第2电源电压是与所述功率放大电路的平均输出功率相应的电压。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的功率放大电路,其中,

所述第1电源电压以及第2电源电压是根据输入到所述功率放大电路的信号的振幅水平而变动的电压。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的功率放大电路,其中,

还具备:第3电感器以及第4电感器,分别与所述第1晶体管以及第2晶体管的集电极或漏极连接,且使所述第1电源电压通过,

所述第1电感器和所述第3电感器、以及所述第2电感器和所述第4电感器发生了磁场耦合。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的功率放大电路,其中,

还具备:

第1偏置电路,向所述第1晶体管以及第2晶体管供给偏置电流或电压;和

第2偏置电路,向所述第3晶体管以及第4晶体管供给偏置电流或电压。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的功率放大电路,其中,

还具备:

分配器,将输入信号分配为第3信号和第4信号;和

差动对,被输入所述第3信号以及第4信号,

所述差动对包含:

第5晶体管,在集电极或漏极被供给第3电源电压,发射极或源极与接地连接,在基极或栅极被供给所述第3信号,从集电极或漏极输出所述第1信号;和

第6晶体管,在集电极或漏极被供给所述第3电源电压,发射极或源极与接地连接,在基极或栅极被供给所述第4信号,从集电极或漏极输出所述第2信号。

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