[发明专利]功率放大电路

说明书

本发明提供一种功率放大电路，在抑制电路规模的增大的同时使最大输出功率增大。功率放大电路具备：下级差动对，被输入第1及第2信号；上级差动对，输出第1及第2放大信号；合成器，对第1及第2放大信号进行合成；第1及第2电感器；和第1及第2电容器，下级差动对包含：第1晶体管，在集电极被供给电源电压，在基极被供给第1信号；和第2晶体管，在集电极被供给电源电压，在基极被供给第2信号，上级差动对包含：第3晶体管，在集电极被供给电源电压，发射极通过第1电感器而与接地连接且通过第1电容器而与第1晶体管连接；和第4晶体管，在集电极被供给电源电压，发射极通过第2电感器而与接地连接且通过第2电容器而与第2晶体管连接。

技术领域

本发明涉及功率放大电路。

背景技术

在便携式电话等移动体通信设备中，搭载有使用了晶体管的功率放大电路。例如，在非专利文献1中，公开了使用了异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction BipolarTransistor)的功率放大电路。此外，在专利文献1中，公开了两个HBT被共射共基(Cascode)连接的功率放大电路。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-115835号公报

非专利文献

非专利文献1：Satoshi Tanaka，“Evolution of Power Amplifier for mobileapplications”，International Meeting for Future of Electron Devices，Kansai(IMFEDK)，IEEE，2013，p.112-113

在功率放大电路中，能够通过使电源电压升压来使最大输出功率增大。但是，在非专利文献1公开的电路中，电源电压的上限受到晶体管的集电极-基极间的耐电压的制约。关于这一点，在专利文献1公开的电路中，两个晶体管被共射共基连接，由此施加于各晶体管的电压被分压，因此与非专利文献1公开的结构相比能够提高电源电压的上限。但是，作为电源电压为了施加比电池电压的上限高的电压而需要升压型的变换电路，电路规模变大。

发明内容

发明要解决的课题

本发明正是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种能够在抑制电路规模的增大的同时使最大输出功率增大的功率放大电路。

用于解决课题的手段

为了达成这样的目的，本发明的一个方式涉及的功率放大电路具备：下级差动对，被输入第1信号和第2信号；上级差动对，设置于下级差动对的上级，输出与第1信号以及第2信号分别对应的第1放大信号以及第2放大信号；合成器，对第1放大信号以及第2放大信号进行合成并输出合成信号；第1电感器以及第2电感器；和第1电容器以及第2电容器，下级差动对包含：第1晶体管，在集电极或漏极被供给第1电源电压，发射极或源极与接地连接，在基极或栅极被供给第1信号；和第2晶体管，在集电极或漏极被供给第1电源电压，发射极或源极与接地连接，在基极或栅极被供给第2信号，上级差动对包含：第3晶体管，在集电极或漏极被供给第2电源电压，发射极或源极通过第1电感器而与接地连接，并且通过第1电容器而与第1晶体管的集电极或漏极连接；和第4晶体管，在集电极或漏极被供给第2电源电压，发射极或源极通过第2电感器而与接地连接，并且通过第2电容器而与第2晶体管的集电极或漏极连接。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能在抑制电路规模的增大的同时使最大输出功率增大的功率放大电路。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。

图2A是示出偏置电路20的结构例的图。