[发明专利]一种双面散热半导体IGBT管

说明书

本发明公开了一种双面散热半导体IGBT管，包括半导体IGBT管，半导体IGBT管的正反面分别贴装导热层，正反面贴装的导热层在半导体IGBT管上形成双面散热结构，半导体IGBT管与导热层之间均设置有一层绝缘层，半导体IGBT管上的热量通过绝缘层传递给导热层散热，半导体IGBT管的两侧分别设置一个以上的连接脚。本发明采用双面散热的方式，体积小电流做得更大，节省空间使空气流动快，散热更有效，不用螺丝固定，双面压紧就行，省去人工和材料费。

技术领域

本发明涉及电子领域，具体涉及一种双面散热半导体IGBT管。

背景技术

IGBT 单管 (Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型功率管 ) 是由BJT( 双极型三极管 ) 和 MOS( 绝缘栅型场效应管 ) 组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点，驱动功率小而饱和压降低，在工业控制领域中，尤其是变频器领域内，被广泛用作开关器件。

日常中，原先的IGBT单管电流不大，散热不好很容易烧坏，且只有一面散热，由于散热面积小重受的电流就小，功能单一,没有别的功能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是一种双面散热半导体IGBT管，采用双面散热结构，能够有效解决现有技术中的不足。

本发明是通过以下技术方案来实现的：一种双面散热半导体IGBT管，包括半导体IGBT管，半导体IGBT管的正反面分别贴装导热层，正反面贴装的导热层在半导体IGBT管上形成双面散热结构，半导体IGBT管与导热层之间均设置有一层绝缘层，半导体IGBT管上的热量通过绝缘层传递给导热层散热，半导体IGBT管的两侧分别设置一个以上的连接脚。

作为优选的技术方案，所述导热层为纯铜导热层，所述绝缘层陶瓷绝缘板，所述连接脚为纯铜脚，半导体IGBT管具备一颗芯片。

作为优选的技术方案，一个以上的连接脚包括设置于半导体IGBT管一侧G、C、E三个引脚，以及设置于半导体IGBT管另一侧的G1、E1、G2、E2四个引脚。

本发明的有益效果是：1、本发明不用螺丝固定，双面压紧就行，省去人工和材料费。

2、本发明体积小电流做得更大，节省空间使空气流动快，散热更有效。

3、本发明经济使用价值高节省成本，以前变频器要用6只IGBT单管，本发明只用3只LSKHBIGBT管就可以了。

4、以前做全桥方案要用4只IGBT单管，而用本发明只要2只完成全桥方案。材料费省了一半，工艺简单达到事半功倍效果；

5、双面散热，温度低，散热效果好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的电路原理图；

图2为本发明的正面简图；

图3为本发明的反面简图。

具体实施方式

本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。

本说明书（包括任何附加权利要求、摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。