[发明专利]磁盘装置以及写处理方法有效
申请号: | 201910588611.5 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN111696587B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 山本优;朝仓诚 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | G11B5/596 | 分类号: | G11B5/596;G11C16/10;G11C16/20 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李智;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁盘 装置 以及 处理 方法 | ||
实施方式提供一种能够提高写处理的性能的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘;头,其对所述盘写入数据,从所述盘读取数据头;以及控制器,其在第1磁道群中与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入,将所述第1磁道中的向第1方向的最大的第1定位误差记录于非易失性的第1记录区域,所述第1方向是从所述第1磁道朝向所述第2磁道的方向。
本申请享受以日本专利申请2019-48725号(申请日:2019年3月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及写处理方法。
背景技术
近年来,开发了用于实现磁盘装置的高记录容量化的各种各样的技术。作为这些技术之一,具有被称为瓦记录方式(Shingled write Magnetic Recording(SMR)、或者Shingled Write Recording(SWR))的记录技术。瓦记录方式的磁盘装置中,在向磁盘写入数据时,与相邻的磁道(以下称为相邻磁道)的一部分重叠地对接下来的记录磁道进行写入。在瓦记录方式的磁盘装置中,与不进行重叠写入的通常的记录方式相比,能够缩窄磁道间距。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够提高写处理的性能的磁盘装置以及写处理方法。
本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘;头,其对所述盘写入数据,从所述盘读取数据;以及控制器,其在第1磁道群中与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入,将所述第1磁道中的向第1方向的最大的第1定位误差记录于非易失性的第1记录区域,所述第1方向是从所述第1磁道朝向所述第2磁道的方向。
本实施方式涉及的写处理方法是应用于具备盘和头的磁盘装置的写处理方法,该头对所述盘写入数据,从所述盘读取数据,所述写处理方法包括:在第1磁道群中与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入,将所述第1磁道中的向第1方向的最大的第1定位误差记录于非易失性的第1记录区域,所述第1方向是从所述第1磁道朝向所述第2磁道的方向。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示写入了数据的瓦记录区域的一个例子的示意图。
图3是表示DDOL的一个例子的示意图。
图4是表示第1实施方式涉及的重新开始磁道的DOL的一个例子的图。
图5是表示重写次数的变化的一个例子的图。
图6是表示第1实施方式涉及的预定的带区域的最大定位误差的记录方法的一个例子的流程图。
图7是表示第1实施方式涉及的写处理方法的一个例子的流程图。
图8是表示第2实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
图9是表示第2实施方式涉及的变更路径的一个例子的图。
图10是表示第2实施方式涉及的写处理方法的一个例子的流程图。
图11是表示变形例1涉及的目标路径的修正方法的一个例子的图。
图12是表示变形例1涉及的写处理方法的一个例子的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行说明。此外,附图是一个例子,并不限定发明的范围。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。
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