[发明专利]用于晶片抛光装置的抛光垫在审
| 申请号： | 201910589289.8 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110877304A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李承源 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | B24D13/14 | 分类号： | B24D13/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;葛臻翼 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 抛光 装置 | ||
【权利要求书】：
1.用于晶片抛光装置的抛光垫，其包括：
具有与晶片直接接触的上表面的第一NAP层；
设于第一NAP层之下以支撑第一NAP层的第二NAP层；以及
设于第二NAP层之下以粘附到表面板上的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)层。
2.如权利要求1所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其中第一NAP层的压缩率在12％以下。
3.如权利要求1所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其中第一NAP层的硬度在22°以上。
4.如权利要求1所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其中第二NAP层的压缩率为10％～30％。
5.如权利要求1所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其中第二NAP层的弹性模量在95％以上。
6.如权利要求1所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其中第二NAP层的硬度为19°～26°。
7.如权利要求1所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其中第一和第二NAP层的厚度分别为0.30～0.40mm。
8.如权利要求1所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其中PET膜层的厚度为0.10～0.30mm。
9.如权利要求1～8中任一项所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其中第一和第二NAP层是包含聚氨酯的绒面革材料。
10.如权利要求1所述的用于晶片抛光装置的抛光垫，其还包括用于将第一NAP层和第二NAP层相结合的粘合层。
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