[发明专利]用于晶片抛光装置的抛光垫

说明书

根据一个实施方式的用于晶片抛光装置的抛光垫包括：具有与晶片直接接触的上表面的第一NAP层；设于第一NAP层之下以支撑第一NAP层的第二NAP层；以及设于第二NAP层之下以粘附到表面板上的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)层。

相关申请的交叉参考

本申请基于35 U.S.C.§119，主张2018年9月6日在韩国提交的韩国专利申请第10-2018-0106324的优先权，其全部内容通过引用纳入本文，如同全部列于下文。

技术领域

本发明涉及晶片抛光装置的抛光垫，更特别涉及能够降低压缩率并且提高硬度的抛光垫。

背景技术

通常，在晶片抛光装置的抛光垫中，随着抛光垫的使用时间增加，抛光垫的厚度减少，并且由抛光头对晶片所施加的压力保持恒定，因而晶片在抛光垫厚度比抛光垫前半段使用时间中的厚度要薄的情况下被抛光。因此，晶片的边缘区域中不与抛光垫接触的暴露区域会增加，从而存在边缘滚降(edge roll-off)增加的问题。

发明内容

因此，本发明提供一种用于晶片抛光装置的抛光垫及其制造方法，所述抛光垫能够控制因晶片抛光工艺进行期间抛光垫的经时变化而导致的边缘滚降的增加、以及抛光期间所产生的间歇性不均匀磨损。

本发明提供一种用于晶片抛光装置的抛光垫，其包括具有与晶片直接接触的上表面的第一NAP层、设于第一NAP层之下以支撑第一NAP层的第二NAP层、以及设于第二NAP层之下以粘附到表面板上的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)层。

根据一个实施方式，第一NAP层的压缩率可在12％以下。

根据一个实施方式，第一NAP层的硬度可在22°以上。

根据一个实施方式，第二NAP层的压缩率可为10％～30％。

根据一个实施方式，第二NAP层的弹性模量可在95％以上。

根据一个实施方式，第二NAP层的硬度可为19°～26°。

根据一个实施方式，第一和第二NAP层的厚度分别可为0.30～0.40mm。

根据一个实施方式，PET膜层的厚度可为0.10～0.30mm。

根据一个实施方式，第一和第二NAP层可以是包含聚氨酯的绒面革材料。

根据一个实施方式，可以还包括用于将第一NAP层与第二NAP层相结合的粘合层。

本发明的各方面仅是本发明优选实施方式的一部分，并且反映本发明技术特征的各种实施方式可由本领域技术人员基于下文所述的本发明详细描述来推导和解释。

附图说明

在下文中，结合附图以帮助理解本发明，并以详细描述来提供本发明的实施方式。然而，本发明的技术特征并不限于具体附图，并且附图中公开的特征可以彼此组合以构成新的实施方式。

图1是示出本发明抛光装置的第一抛光垫的图。

图2是示出本发明第一抛光垫中垫基底层的弹性模量增加时第一抛光垫的去除量分布的图。

图3是示出本发明第一抛光垫中垫基底层的压缩率降低且其硬度增加时第一抛光垫的去除量分布的图。

图4是示出本发明第一抛光垫中垫表面层的压缩率降低且其硬度增加时第一抛光垫的去除量分布的图。

图5是示出本发明第二抛光装置的第二抛光垫的图。

图6是示出本发明第二抛光垫的垫厚度随使用时间增加而变化的图。