[发明专利]半导体存储装置及存储系统有效

专利信息
申请号: 201910589709.2 申请日: 2019-07-02
公开(公告)号: CN111312315B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 船附里英子;佐佐木贵彦;黑沢智纪 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/26;G11C16/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置 存储系统
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,具有:

多个记忆胞;

第1电路,将第1数据转换为与所述多个记忆胞的阈值的排列顺序相关的第2数据;及

第2电路,根据所述第2数据对所述多个记忆胞进行写入。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中

所述第2数据具有多个规定2个记忆胞的阈值的大小的第3数据。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中

所述第2电路具有存储写入数据的第1锁存器组、存储从记忆胞读出的读出数据的第2锁存器组、及存储由第2锁存器组供给的读出数据的第3锁存器组,并进行根据所述第2数据选择作为写入对象的记忆胞的运算。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中

所述第1锁存器组及所述第3锁存器组中所含的锁存器的数量相同,

所述第2锁存器组中所含的锁存器的数量少于所述第1锁存器组及所述第3锁存器组中所含的锁存器的数量。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其还具有控制所述第2电路、所述第1锁存器组、所述第2锁存器组、及所述第3锁存器组的序列产生器;

所述序列产生器在将所述第2数据写入多个记忆胞时,

将所述第2数据存储于所述第1锁存器组,

对于多个记忆胞,执行基于所述第2数据的第1程序,

在所述第1程序之后进行验证,

将通过所述验证获得的第4数据存储于所述第2锁存器组,

使用所述第1锁存器组、所述第2锁存器组、及所述第3锁存器组,对所述第2数据及所述第4数据进行运算而选择出作为第2程序的对象的记忆胞,

对于所述作为第2程序的对象的记忆胞执行所述第2程序。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中

所述第2电路还具有用于进行选择所述作为第2程序的对象的记忆胞的运算的第3电路。

7.一种存储系统,具有:

控制器,具有将第1数据转换为与多个记忆胞的阈值的排列顺序相关的第2数据的第1电路;及

半导体存储装置,包含所述多个记忆胞、及根据从所述控制器发送的所述第2数据对所述多个记忆胞进行写入的第2电路。

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