[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体衬底；

器件层，配置在所述半导体衬底的第1面的第1区域；

反射率降低层，被配置在设置在所述第1区域周围的第2区域，使从与所述第1面对向的第2面侧入射的激光的反射率与所述第2区域设置有金属膜的情况相比降低；以及

改质层，设置在所述第2区域的所述半导体衬底的侧面；且

所述第2区域的所述半导体衬底的侧面是在所述半导体衬底中伸展的切断面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述反射率降低层具有使所述激光散射的凹凸结构。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述反射率降低层包括抑制针对所述激光的反射的多层膜。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述反射率降低层包括由介电常数不同的多个膜积层而成的所述多层膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中

所述反射率降低层具有：

绝缘膜，配置在所述半导体衬底的所述第1面上；以及

半导体膜，配置在所述绝缘膜上。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述反射率降低层在所述半导体衬底的所述第2区域具有从所述第2面入射所述激光时的反射率成为17％以下的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其具备配置在所述反射率降低层上的金属膜。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述改质层具有空隙及配置在比所述空隙更靠近所述第2面侧的龟裂，且

所述空隙的最靠近所述第1面侧的位置存在于从所述第1面起6μm的范围内。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中所述半导体衬底具有30μm以下的厚度。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体衬底的第1面上的第1区域形成器件层，在设置在所述第1区域周围的第2区域形成反射率降低层；

以所述半导体衬底成为指定厚度的方式，对所述半导体衬底的与所述第1面对向的第2面进行研削；

沿着所述第2区域以指定周期照射激光，而在所述半导体衬底的内部形成改质层；并且

沿着所述改质层在所述第1面侧产生龟裂而将所述半导体衬底单片化；且

所述反射率降低层使从与所述第1面对向的第2面侧入射的激光的反射率与所述第2区域设置有金属膜的情况相比降低。