[发明专利]半导体结构及其制造方法、存储器

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

下电极层，所述下电极层位于部分所述衬底上；

绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述下电极层上，且所述绝缘介质层暴露出部分下电极层表面；

上电极层，所述上电极层位于所述绝缘介质层上，所述上电极层、所述绝缘介质层以及所述下电极层构成反熔丝电容。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述下电极层的材料与所述上电极层的材料不同，且所述上电极层的电阻小于所述下电极层的电阻。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述下电极层内具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子用于降低所述下电极层的电阻率；所述上电极层内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子用于降低所述上电极层的电阻率，且所述第二掺杂离子的掺杂浓度大于所述第一掺杂离子的掺杂浓度。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述下电极层的材料包括掺杂有所述第一掺杂离子的多晶硅；所述上电极层的材料包括掺杂有所述第二掺杂离子的多晶硅；所述第一掺杂离子包括N型离子或者P型离子；所述第二掺杂离子包括N型离子或者P型离子。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一电连接单元，所述第一电连接单元与所述下电极层电连接；第二电连接单元，所述第二电连接单元与所述上电极层电连接。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘介质层暴露出所述下电极层的部分顶部表面；且所述第一电连接单元与所述绝缘介质层暴露出的所述下电极层的顶部表面相接触。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：平坦化层，所述平坦化层覆盖所述绝缘介质层暴露出的所述下电极层的顶部表面，且所述第一电连接单元包括贯穿所述平坦化层的第一导电插塞，所述第一导电插塞与所述下电极层的部分表面相接触。

8.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的栅介质层；位于所述栅介质层上的第一栅电极层，所述第一栅电极层与所述下电极层处于同层，且所述第一栅电极层与所述下电极层的材料相同；位于所述第一栅电极层上的第二栅电极层，所述第二栅电极层与所述上电极层处于同层，且所述第二栅电极层与所述上电极层的材料相同。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：中间介质层，所述中间介质层位于所述第一栅电极层与所述第二栅电极层之间，且所述中间介质层与所述绝缘介质层处于同层。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：隔离介质层，所述隔离介质层位于所述下电极层与所述衬底之间，所述隔离介质层与所述栅介质层处于同层，且所述隔离介质层与所述栅介质层的材料相同。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底内的隔离结构，且所述衬底暴露出所述隔离结构顶部表面，所述反熔丝电容位于所述隔离结构正上方。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘介质层内具有改性离子，所述改性离子用于调节所述绝缘介质层的击穿性能。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述改性离子包括锗离子或者碳离子。

14.如权利要求12或13所述的半导体结构，其特征在于，所述改性离子的离子浓度为1E13atom/cm³～1E14atom/cm³。

15.一种存储器，其特征在于，包括：如权利要求1-14任一项所述的半导体结构。