[发明专利]一种基于双线性插值原理确定发射层析权重矩阵的方法

权利要求书

1.一种基于双线性插值原理确定发射层析权重矩阵的方法，其特征在于,首先获得发射层析的三维投影模型；然后将投影积分离散化表示；最后利用双线性插值原理确定层析系统的权重矩阵；

步骤一、获得发射层析的三维投影模型:

发射层析的三维投影模型为三维空间中的二维Radon变换，表示为：

其中，(x,y,z)为被测物体所处的世界坐标系，(ξ,η,ζ)为投影坐标系，r₄、r₅、r₆、r₇、r₈、r₉为世界坐标系变换至投影坐标系的旋转矩阵中的参数；

步骤二：投影积分离散化：

S1：将投影表示为投影方向的积分；

S2：将积分区间沿投影射线方向均匀划分为N个微元区间；

S3：根据世界坐标系(x,y,z)和投影坐标系(ξ,η,ζ)之间的转换关系，确定微元在世界坐标系中的位置；

S4：将重建区域划分为X×Y×Z个离散网格，确定微元所在的最小相邻离散网格序号以及该微元与最小相邻离散网格中心的距离；

S5：根据双线性插值原理，由相邻的8个离散网格中心点物函数确定该微元的物函数值，得到每个离散网格对微元的权重因子；

步骤三：对所有的微元进行求和运算，并根据投影模型确定的微元与投影的关系，确定离散网格对投影的权重矩阵。