[发明专利]一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构

权利要求书

1.一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其结构包括：光纤螺纹管(1)、镜筒(2)、配电缆线(3)、集成电板块(4)、模架谐振腔室(5)、单片机电箱(6)、串行端口槽(7)，其特征在于：

所述模架谐振腔室(5)安设在集成电板块(4)的前侧，所述模架谐振腔室(5)与配电缆线(3)电连接，所述串行端口槽(7)插嵌在单片机电箱(6)的前侧，所述单片机电箱(6)与集成电板块(4)电连接，所述镜筒(2)插嵌在模架谐振腔室(5)的前侧，所述光纤螺纹管(1)与镜筒(2)扣合在一起；

所述模架谐振腔室(5)设有射灯管(5A)、瓣膜镜槽(5B)、簧推顶架杆(5C)、十字模镜架(5D)、谐振管腔室(5E)、限位顶杆(5F)、凸镜块(5G)、罩帽块(5H)；

所述射灯管(5A)插嵌在瓣膜镜槽(5B)的底部下，所述瓣膜镜槽(5B)与罩帽块(5H)分别嵌套于谐振管腔室(5E)的左右两侧，所述凸镜块(5G)与罩帽块(5H)扣合在一起，所述限位顶杆(5F)焊接在谐振管腔室(5E)内部的右下角，所述簧推顶架杆(5C)插嵌在谐振管腔室(5E)内部的左上角，所述簧推顶架杆(5C)通过十字模镜架(5D)与限位顶杆(5F)机械连接，所述十字模镜架(5D)与谐振管腔室(5E)相配合，所述射灯管(5A)与配电缆线(3)电连接，所述谐振管腔室(5E)安设在集成电板块(4)的前侧。

2.根据权利要求1所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其特征在于：所述瓣膜镜槽(5B)由集光套罩(5B1)、瓣膜镜块(5B2)、折光聚合架(5B3)组成，所述瓣膜镜块(5B2)与折光聚合架(5B3)机械连接，所述瓣膜镜块(5B2)安装于集光套罩(5B1)的内部。

3.根据权利要求2所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其特征在于：所述折光聚合架(5B3)由球珠弧罩板(5B31)、扭转轮(5B32)、棱镜反射块(5B33)组成，所述球珠弧罩板(5B31)通过扭转轮(5B32)与棱镜反射块(5B33)机械连接，所述球珠弧罩板(5B31)与棱镜反射块(5B33)分别安设在扭转轮(5B32)的上下两侧。

4.根据权利要求1所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其特征在于：所述十字模镜架(5D)由晶体球壳(5D1)、多面晶体块(5D2)、折镜十字架(5D3)、叠镜扇型帽(5D4)组成，所述叠镜扇型帽(5D4)设有四个并且分别嵌套于的折镜十字架(5D3)的四个边角上，所述折镜十字架(5D3)通过叠镜扇型帽(5D4)与晶体球壳(5D1)相配合，所述多面晶体块(5D2)与折镜十字架(5D3)活动连接。

5.根据权利要求4所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其特征在于：所述多面晶体块(5D2)由短轴柱(5D21)、多面体晶块(5D22)、海绵垫(5D23)组成，所述短轴柱(5D21)插嵌在多面体晶块(5D22)的内部，所述海绵垫(5D23)紧贴于短轴柱(5D21)的左侧。

6.根据权利要求4所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其特征在于：所述折镜十字架(5D3)由横模板(5D31)、纵模架(5D32)、曲面镜板(5D33)、轴心镜轮(5D34)、折面镜片(5D35)组成，所述横模板(5D31)与纵模架(5D32)相互垂直并且插嵌在一起，所述曲面镜板(5D33)插嵌在纵模架(5D32)的内部，所述折面镜片(5D35)安设在横模板(5D31)的内部，所述轴心镜轮(5D34)安装于横模板(5D31)与纵模架(5D32)中段的内部。

7.根据权利要求4所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其特征在于：所述叠镜扇型帽(5D4)由簧推卡块(5D41)、扇槽帽(5D42)、漫反射镜架(5D43)、球凸镜座(5D44)组成，所述球凸镜座(5D44)嵌套于扇槽帽(5D42)的内部，所述簧推卡块(5D41)设有两个并且分别安设在球凸镜座(5D44)的上下两侧，所述球凸镜座(5D44)与漫反射镜架(5D43)机械连接。

8.根据权利要求1所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其特征在于：所述谐振管腔室(5E)由溜道凸架(5E1)、管壳腔室(5E2)、半弧遮板(5E3)组成，所述溜道凸架(5E1)焊接在管壳腔室(5E2)的左下角，所述半弧遮板(5E3)插嵌在管壳腔室(5E2)内部的右侧。