[发明专利]一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构

说明书

本发明公开了一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其结构包括：光纤螺纹管、镜筒、配电缆线、集成电板块、模架谐振腔室、单片机电箱、串行端口槽，本发明实现了运用集成电板块与模架谐振腔室相配合，通过集成电板块在激光器中光导操作，将十字模镜架的折镜十字架组合成横模板与纵模架相互交织的结构，然后同质结轴心镜轮连通聚光效果，且谐振形成晶体球壳珠转四散的间歇式多面晶体块预留光感折射效果，保障尾端射灯管同质结载流子的均匀传输，然后对折光聚合架翻转形成实时的承接折光效果，保障激光器出光率性能的强化，且在激光上的波峰达到最突出点，保障垂直交织的横模板与纵模架过电结构稳定性强，又改善片上集成调节效果。

技术领域

本发明是一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，属于半导体领域。

背景技术

激光器是机台设备的高熔点部件，运用光学切割操作效果，该操作便捷高效，对半导体充分利用聚光和散光折射效果，达到激光成型加工过程中的电路板对接点焊等流程步骤加工，目前技术公用的待优化的缺点有：

在单纵模激光器中，对半导体的PN结成单一横模或者纵模进行频率谐振，让光强在光截面上增大线宽，但线宽增大后，对激光束线的排线分辨也较为不均，使线宽两侧光线较弱造成薄层映射，而中层强光会过度穿透照射物，导致线宽调节性能的低下，对光轴方向十分单一，且连同异质结的影响，改变激光映射功效，压低电压和电流参数，造成分类结晶繁琐过渡操作，对镜体内棱边的反射效率不一致，导致驻波的偏差。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，以解决在单纵模激光器中，对半导体的PN结成单一横模或者纵模进行频率谐振，让光强在光截面上增大线宽，但线宽增大后，对激光束线的排线分辨也较为不均，使线宽两侧光线较弱造成薄层映射，而中层强光会过度穿透照射物，导致线宽调节性能的低下，对光轴方向十分单一，且连同异质结的影响，改变激光映射功效，压低电压和电流参数，造成分类结晶繁琐过渡操作，对镜体内棱边的反射效率不一致，导致驻波的偏差的问题。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构，其结构包括：光纤螺纹管、镜筒、配电缆线、集成电板块、模架谐振腔室、单片机电箱、串行端口槽，所述模架谐振腔室安设在集成电板块的前侧并且处于同一水平面上，所述模架谐振腔室与配电缆线电连接，所述串行端口槽插嵌在单片机电箱的前侧，所述单片机电箱与集成电板块电连接并且处于同一水平面上，所述镜筒插嵌在模架谐振腔室的前侧，所述光纤螺纹管与镜筒扣合在一起并且轴心共线，所述模架谐振腔室设有射灯管、瓣膜镜槽、簧推顶架杆、十字模镜架、谐振管腔室、限位顶杆、凸镜块、罩帽块，所述射灯管插嵌在瓣膜镜槽的底部下，所述瓣膜镜槽与罩帽块分别嵌套于谐振管腔室的左右两侧并且轴心共线，所述凸镜块与罩帽块扣合在一起并且处于同一竖直面上，所述限位顶杆焊接在谐振管腔室内部的右下角，所述簧推顶架杆插嵌在谐振管腔室内部的左上角，所述簧推顶架杆通过十字模镜架与限位顶杆机械连接，所述十字模镜架与谐振管腔室采用间隙配合，所述射灯管与配电缆线电连接，所述谐振管腔室安设在集成电板块的前侧。

为优化上述技术方案，进一步采取的措施为：

作为本发明的进一步改进，所述瓣膜镜槽由集光套罩、瓣膜镜块、折光聚合架组成，所述瓣膜镜块与折光聚合架机械连接，所述瓣膜镜块安装于集光套罩的内部并且处于同一竖直面上。

作为本发明的进一步改进，所述折光聚合架由球珠弧罩板、扭转轮、棱镜反射块组成，所述球珠弧罩板通过扭转轮与棱镜反射块机械连接并且处于同一竖直面上，所述球珠弧罩板与棱镜反射块分别安设在扭转轮的上下两侧。

作为本发明的进一步改进，所述十字模镜架由晶体球壳、多面晶体块、折镜十字架、叠镜扇型帽组成，所述叠镜扇型帽设有四个并且分别嵌套于的折镜十字架的四个边角上，所述折镜十字架通过叠镜扇型帽与晶体球壳采用间隙配合，所述多面晶体块与折镜十字架活动连接。