[发明专利]一种无机发光二极管显示装置的结构及制作方法

权利要求书

1.一种无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：在像素发光器件有效显示区域具有不同高度的台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。

2.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的高度低的台阶位于对角连接线的相邻像素之间。

3.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的高度高的台阶位于相邻像素之间。

4.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的高度低的台阶位于相邻像素之间。

5.根据权利要求1-4任一项所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：在像素发光器件有效显示区域的公共电极位于不同高度的台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。

6.根据权利要求1-4任一项所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：在像素发光器件有效显示区域的公共电极位于不同高度的台阶中的任意一个台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。

7.根据权利要求1-6任一项所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于像素发光器件结构包括以下方法制作：

(1)将包括N型半导体层、发光半导体层、P型半导体层的外延衬底转移到第一个衬底上，将外延衬底去除；

(2)再转移到第二个衬底上，将第一个衬底去除，即将P型半导体层露出。

8.根据权利要求1-7任一项所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于像素发光器件结构采用以下方法制作：

(1)在包括N型半导体层、发光半导体层、P型半导体层的衬底上，采用曝光、显影和干刻的方法刻蚀到N型半导体层；

(2)采用曝光、显影和干刻的方法在上个步骤刻蚀到的N型半导体层的一定位置上继续刻蚀到相对于像素发光器件所在衬底高度低的N型半导体层；

(3)采用曝光、显影和刻蚀或者剥离的方法形成像素发光器件有效显示区域的公共电极，公共电极位于步骤(1)和步骤(2)形成高度不同的N型半导体层上，或者只位于步骤(2)形成的N型半导体层上。

9.根据权利要求1-7任一项所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于像素发光器件结构采用以下方法制作：

(1)在包括N型半导体层、发光半导体层、P型半导体层的外延衬底上，采用曝光、显影和干刻的方法刻蚀到N型半导体层；

(2)采用曝光、显影和干刻的方法在上个步骤刻蚀到的N型半导体层的一定位置上继续刻蚀到像素发光器件所在衬底；

(3)采用曝光、显影和刻蚀或者剥离的方法形成像素发光器件有效显示区域的公共电极，公共电极位于步骤(1)形成的N型半导体层上和步骤(2)形成的N型半导体层侧壁及刻蚀露出的像素发光器件所在衬底上，或者只位于步骤(2)形成的N型半导体层侧壁及刻蚀露出的像素发光器件所在衬底上。