[发明专利]一种无机发光二极管显示装置的结构及制作方法

说明书

本发明涉及一种无机发光二极管显示装置的电极结构及制作方法，像素发光器件有效显示区域的公共电极所在区域具有高度不同的台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。

技术领域

本发明涉及无机发光二极管显示装置的结构及制作方法，特别是无机发光二极管显示装置的电极结构及制作方法。

背景技术

现有的微型显示技术(Micro display)主要包括硅上液晶技术(Liquid crystalon silicon，即LCOS)、数字光处理技术(Digital light processing，即DLP)和硅基OLED微显示器技术(Micro-OLED)。最近出现了一种新型的微型无机发光二极管显示技术(Micro-LED)，Micro-LED的单元像素尺寸一般在10微米左右，但是现在Micro-LED依然面临着提高效率和显示分辨率的问题。

Micro-LED像素一般采用干法刻蚀制作，但是干法刻蚀被认为是产生Micro-LED缺陷的主要原因，干法刻蚀刻蚀深度越深，Micro-LED产生的缺陷越多。

发明内容

本发明提出一种无机发光二极管显示装置的电极结构及制作方法。

根据本发明的一个方面，在像素发光器件有效显示区域具有高度不同的台阶，公共电极区域位于不同高度的台阶或者高度低的台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。

根据本发明的一个方面，在像素发光器件有效显示区域的公共电极所位于的不同高度的台阶，是通过两次刻蚀形成，第一次刻蚀高度较高的台阶(即刻蚀深度较浅的台阶)，第二次刻蚀高度较低的台阶(即刻蚀深度较深的台阶)。

根据本发明的一个方面，在像素发光器件有效显示区域的公共电极可以连接处于不同高度台阶的不同特性的材料，特性包括导电电阻率、欧姆接触等。

本发明的积极效果在于：

当前Micro-LED像素一般采用干法刻蚀制作，干法刻蚀会造成Micro-LED侧壁的缺陷，缺陷是影响Micro-LED发光效率的主要原因。在接近Micro-LED像素区域制作高度较高的台阶，而在一定的区域制作高度较低的台阶可以减少像素有效发光区域的缺陷，保持Micro-LED发光效率。

附图说明

图1表示在包括N型半导体层3、发光半导体层2、P型半导体层1以及外延衬底10。

图2表示将包括N型半导体层3、发光半导体层2、P型半导体层1的外延衬底转移到第一个衬底20上，将外延衬底10去除。

图3表示再转移到第二个衬底4上，将第一个衬底20去除，即将P型半导体层1露出，第二衬底4作为像素发光器件所在衬底。

图4表示在包括N型半导体层、发光半导体层、P型半导体层以及像素发光器件所在衬底上，刻蚀到N型半导体层的结构示意图。

图5是图4的A-A’截面结构示意图。

图6表示在图4制作的N型半导体层的一定位置上继续刻蚀到相对于像素发光器件所在衬底高度低的N型半导体层的结构示意图。

图7是图6的B-B’截面结构示意图。

图8表示制作公共电极的结构示意图。

图9是图8的C-C’剖面结构示意图。

图10表示在图4制作的N型半导体层的一定位置上继续刻蚀到相对于像素发光器件所在衬底高度低的N型半导体层的显微镜照片，即图6所表示制作步骤的显微镜照片。

图11表示制作公共电极的结构示意图。

图12是图11的D-D’剖面结构示意图。