[发明专利]一种刻蚀方法及系统在审
申请号: | 201910593369.0 | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN110190020A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 陈天磊;史书刚;韩玉成;彭昌文;黄钰洁;方亮;朱威禹;廖东 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 倪静 |
地址: | 550000 贵州省贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 硅胶垫 紧贴 散热组件 干法刻蚀 刻蚀过程 生产效率 不均匀 良品率 散热 贴附 保证 | ||
1.一种刻蚀方法,用于对基片进行干法刻蚀,其特征在于,所述刻蚀方法包括以下步骤:
将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴;
将所述硅胶垫的另一面与散热组件紧贴;
对所述基片进行刻蚀。
2.如权利要求1所述的一种刻蚀方法,其特征在于,在所述将所述硅胶垫的一面与所述基片的一面紧贴的步骤之前还包括:
测量所述基片的各向尺寸,并根据所述基片的各向尺寸裁剪硅胶垫,其中,所述硅胶垫的长度比所述基片的长度至少大0.2毫米,所述硅胶垫的宽度比所述基片的宽度至少大0.2毫米。
3.如权利要求1所述的一种刻蚀方法,其特征在于,所述将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴的步骤包括:
将所述硅胶垫上贴合的第一模体与所述硅胶垫的一端分离,其中,所述第一模体贴合于所述硅胶垫的一面;
将所述硅胶垫与所述第一模体分离的一端与所述基片的贴合;
将所述硅胶垫与所述第一模体逐步分离;
将所述硅胶垫与所述基片逐步贴合。
4.如权利要求3所述的一种刻蚀方法,其特征在于,所述将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴的步骤之后还包括:
检查所述硅胶垫与所述基片的贴合面是否有气泡;
若无气泡,则进行所述将所述硅胶垫的另一面与散热组件紧贴的步骤;
若有气泡,则将所述基片废弃。
5.如权利要求3所述的一种刻蚀方法,其特征在于,所述将所述硅胶垫与所述基片逐步贴合的步骤包括:
沿着所述硅胶垫与所述第一模体逐步分离的方向将所述硅胶垫与所述基片逐步贴合;
同时,对所述硅胶垫与所述基片贴合的部分施加压紧外力。
6.如权利要求1所述的一种刻蚀方法,其特征在于,所述将所述硅胶垫的另一面与散热组件紧贴的步骤包括:
将所述硅胶垫上贴合的第二模体与所述硅胶垫的一端分离,其中,所述第二模体贴合于所述硅胶垫的一面;
将所述硅胶垫与所述第二模体分离的一端与所述散热组件的贴合;
将所述硅胶垫与所述第二模体逐步分离;
将所述硅胶垫与所述散热组件沿所述硅胶垫与所述第二模体逐步分离的方向逐步贴合;
同时,对所述硅胶垫与所述基片贴合的部分施加压紧外力。
7.如权利要求6所述的一种刻蚀方法,其特征在于,所述将所述硅胶垫的另一面与散热组件紧贴的步骤之后还包括:
检查所述硅胶垫与所述散热组件的贴合面是否有气泡;
若无气泡,则进行所述对所述基片进行刻蚀的步骤;
若有气泡,则将所述基片从所述散热组件上取下,重新贴合至无气泡为止。
8.如权利要求1所述的一种刻蚀方法,其特征在于,在所述通过刻蚀机对所述基片进行刻蚀的步骤之前,还包括:
对所述散热组件进行预降温,将所述散热组件表面温度降至室温。
9.如权利要求1所述的一种刻蚀方法,其特征在于,在所述通过刻蚀机对所述基片进行刻蚀的步骤之后,还包括:
分离所述硅胶垫和所述散热组件;
分离所述硅胶垫和所述基片。
10.一种刻蚀系统,其特征在于,所述刻蚀系统包括贴合组件、刻蚀机和如权利要求1-9中任一项所述的散热组件,所述刻蚀机和散热组件靠近设置,所述贴合组件靠近所述散热组件设置;
所述贴合组件能够自动将贴有所述基片的所述硅胶垫贴合于所述散热组件上。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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