[发明专利]一种刻蚀方法及系统

说明书

本发明提供一种刻蚀方法及系统，涉及技术领域。该刻蚀方法用于对基片进行干法刻蚀，刻蚀方法包括以下步骤：将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴；将硅胶垫的另一面与散热组件紧贴；对基片进行刻蚀。通过在基片上贴附硅胶垫的方式保证基片与散热组件之间的紧贴，从而避免在刻蚀过程中基片散热的不均匀，进而提高良品率和生产效率。

技术领域

本发明涉及电子产品加工技术领域，具体而言，涉及一种刻蚀方法及系统。

背景技术

目前刻蚀时需要将基片粘贴在角度为负30度的水冷工件台上，在生产中发现，刻蚀后打开腔体，基片会从工件台上翘起，正反面出现烧焦碳化，严重影响产品的外观和性能，导致产品合格率降低。

因此，研发一种能有效解决上述问题的刻蚀方法是目前需要迫切解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种刻蚀方法，以对刻蚀基片进行有效地降温，避免在刻蚀过程中使基片因散热不及时而碳化，从而提高产品的良品率。

本发明的另一目的在于提供一种刻蚀系统，其因为采用了本发明提供的刻蚀方法，能够对刻蚀基片进行高效和均匀的散热，从而避免基片在刻蚀过程中被高温碳化，从而提高产品的良品率和生产效率。

本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的：

第一方面，本发明提供的一种刻蚀方法，用于对基片进行干法刻蚀，所述刻蚀方法包括以下步骤：将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴；将所述硅胶垫的另一面与散热组件紧贴；对所述基片进行刻蚀。以通过在基片上贴附硅胶垫的方式保证基片与散热组件之间的紧贴，从而避免在刻蚀过程中基片散热的不均匀，进而提高良品率和生产效率。

结合第一方面，在所述将所述硅胶垫的一面与所述基片的一面紧贴的步骤之前还包括：测量所述基片的各向尺寸，并根据所述基片的各向尺寸裁剪硅胶垫，其中，所述硅胶垫的长度比所述基片的长度至少大0.2毫米，所述硅胶垫的宽度比所述基片的宽度至少大0.2毫米。以，避免所述基片的部分结构未与所述硅胶垫贴合，保证所述基片能够完整与所述硅胶垫贴合，从而提高所述基片的散热稳定性。

结合第一方面，所述将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴的步骤包括：将所述硅胶垫上贴合的第一模体与所述硅胶垫的一端分离，其中，所述第一模体贴合于所述硅胶垫的一面；将所述硅胶垫与所述第一模体分离的一端与所述基片的贴合；将所述硅胶垫与所述第一模体逐步分离；将所述硅胶垫与所述基片逐步贴合。以在贴合过程中排出所述硅胶垫和所述基片之间的空气，避免产生气泡，进而保证在刻蚀过程中所述基片散热的均匀。

结合第一方面，所述将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴的步骤之后还包括：检查所述硅胶垫与所述基片的贴合面是否有气泡；若无气泡，则进行所述将所述硅胶垫的另一面与散热组件紧贴的步骤；若有气泡，则将所述基片废弃。以避免所述基片散热不均匀，导致在刻蚀过程中所述基片发生碳化，将产生气泡的所述基片废弃以提高后续加工的良品率。

结合第一方面，所述将所述硅胶垫与所述基片逐步贴合的步骤包括:沿着所述硅胶垫与所述第一模体逐步分离的方向将所述硅胶垫与所述基片逐步贴合；同时，对所述硅胶垫与所述基片贴合的部分施加压紧外力。以保证所述硅胶垫与所述基片能够更好地贴合，排出所述基片与所述硅胶垫之间的空气，提高所述基片的散热均匀性。

结合第一方面，所述将所述硅胶垫的另一面与散热组件紧贴的步骤包括：将所述硅胶垫上贴合的第二模体与所述硅胶垫的一端分离，其中，所述第二模体贴合于所述硅胶垫的一面；将所述硅胶垫与所述第二模体分离的一端与所述散热组件的贴合；将所述硅胶垫与所述第二模体逐步分离；将所述硅胶垫与所述散热组件沿所述硅胶垫与所述第二模体逐步分离的方向逐步贴合；同时，对所述硅胶垫与所述基片贴合的部分施加压紧外力。以保证所述硅胶垫与所述散热组件能够更好地贴合，排出所述散热组件与所述硅胶垫之间的空气，提高所述基片的散热均匀性。