[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

半导体基板，具有第1面和第2面；

半导体元件，设置于上述半导体基板内，具有设置于上述第1面的栅极绝缘膜；

第1电极，设置于上述第1面之上；

第2电极，设置于上述第1电极之上，包含第1金属材料，膜厚为(65[g·μm·cm^－3])/(上述第1金属材料的密度[g·cm^－3])以上；

第1焊料部，设置于上述第2电极之上；

第3电极，设置于上述第1焊料部之上；

第4电极，设置于上述第1面之上；

第5电极，设置于上述第4电极之上，包含第2金属材料，膜厚为(65[g·μm·cm^－3])/(上述第2金属材料的密度[g·cm^－3])以上；

第2焊料部，设置于上述第5电极之上；以及

第6电极，设置于上述第2焊料部之上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2电极具有与上述第1焊料部相比平行于上述第1面地向上述第2电极与上述第5电极之间突出的电极部分，

在设上述第1焊料部的膜厚为a、设平行于上述第1面的方向上的上述电极部分的上表面的长度为b、设垂直于上述第1面的方向上的上述电极部分的膜厚为c、设平行于上述第1面的方向上的上述电极部分与上述第5电极之间的距离为d时，(a/b)＜(a+c)/(b+d)。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具备：

第7电极，设置于上述半导体基板的上述第2面；

第3焊料部，设置于上述第7电极与上述半导体基板之间；以及

第8电极，设置于上述第3焊料部与上述半导体基板之间，包含第3金属材料，膜厚为(65[g·μm·cm^－3])/(上述第3金属材料的密度[g·cm^－3])以上，

上述半导体基板的板厚为25μm以下。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述半导体基板还具有设置于上述半导体基板的端部侧的终端构造，

在设上述第1焊料部与上述半导体基板之间的距离为e、设上述第1焊料部投影到上述第1面得到的第1部分与上述终端构造之间的距离为f时，(a/b)＞(a+e)/f。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第2电极或上述第5电极具有多个金属层的层叠构造。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第2电极投影到上述第1面得到的第2部分与上述第4电极投影到上述第1面得到的第3部分相接，或者具有重叠。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述栅极绝缘膜从上述半导体基板的上述第1面向上述第2面的方向延伸。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第1金属材料以及上述第2金属材料是铜Cu、镍Ni、铝Al、银Ag、钛Ti或钨W。

9.一种半导体装置，其中，具备：

半导体基板，具有第1面和第2面；

半导体元件，设置于上述半导体基板内，具有设置于上述第1面的栅极绝缘膜；

第1电极，设置于上述第1面之上，包含第1金属材料；

第2电极，设置于上述第1电极之上，包含第2金属材料；

第1焊料部，设置于上述第2电极之上；

第3电极，设置于上述第1焊料部之上；

第4电极，设置于上述第1面之上，包含第3金属材料；

第5电极，设置于上述第4电极之上，包含第4金属材料；

第2焊料部，设置于上述第5电极之上；以及

第6电极，设置于上述第2焊料部之上，

上述第1电极的膜厚与上述第2电极的膜厚之和为(65[g·μm·cm^－3])/(上述第1金属材料的密度[g·cm^－3])+(65[g·μm·cm^－3])/(上述第2金属材料的密度[g·cm^－3])以上，

上述第4电极的膜厚与上述第5电极的膜厚之和为(65[g·μm·cm^－3])/(上述第3金属材料的密度[g·cm^－3])+(65[g·μm·cm^－3])/(上述第4金属材料的密度[g·cm^－3])以上。