[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有第1面和第2面的半导体基板；设置于半导体基板内并具有设置于第1面的栅极绝缘膜的半导体元件；设置于第1面之上的第1电极；设置于第1电极之上、包含第1金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm^－3])/(第1金属材料的密度[g·cm^－3])以上的第2电极；设置于第2电极之上的第1焊料部；设置于第1焊料部之上的第3电极；设置于第1面之上的第4电极；设置于第4电极之上、包含第2金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm^－3])/(第2金属材料的密度[g·cm^－3])以上的第5电极；设置于第5电极之上的第2焊料部；以及设置于第2焊料部之上的第6电极。

关联申请

本申请主张以日本专利申请2018－211902号(申请日：2018年11月12日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

已开发了面向发电或送电、泵或送风机等旋转机、通信系统或工场等电源装置、基于交流马达的铁道、电动汽车、家庭用电器等广泛领域的、以MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor)或IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)等的半导体元件为代表的、设计为功率控制用的功率半导体装置。

例如，在是使用纵型MOSFET来驱动马达等的半导体装置的情况下，在半导体基板内形成了纵型MOSFET。纵型MOSFET的源极电极以及栅极电极，经由焊料等而分别连接于在半导体基板之上设置的包含Cu(铜)等的电极。并且，纵型MOSFET的漏极电极，经由焊料等而连接于在半导体基板之下设置的包含Cu等的电极。上述的包含Cu等的电极与外部的电路等连接。

在由焊料产生的α射线(alpha射线)进入到半导体元件的栅极绝缘膜的情况下，由于α射线所具有的能量，所以在栅极绝缘膜内产生电子－空穴对。在对栅极电极施加了偏置电压的情况下，所产生的电子向半导体基板或栅极电极移动。但是，空穴残留在栅极绝缘膜中。这是因为，空穴的迁移率比电子的迁移率低。由于该残留的空穴，所以有MOSFET的阈值电压Vth向更负的一侧变化这样的问题。

发明内容

实施方式提供一种可靠性高的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：具有第1面和第2面的半导体基板；设置于半导体基板内并具有设置于第1面的栅极绝缘膜的半导体元件；设置于第1面之上的第1电极；设置于第1电极之上、包含第1金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm^－3])/(第1金属材料的密度[g·cm^－3])以上的第2电极；设置于第2电极之上的第1焊料部；设置于第1焊料部之上的第3电极；设置于第1面之上的第4电极；设置于第4电极之上、包含第2金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm^－3])/(第2金属材料的密度[g·cm^－3])以上的第5电极；设置于第5电极之上的第2焊料部；以及设置于第2焊料部之上的第6电极。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的示意截面图。

图2是在第一实施方式的半导体装置的主要部分的制造方法中表示制造中途的半导体装置的示意截面图。

图3是在第一实施方式的半导体装置的主要部分的制造方法中表示制造中途的半导体装置的示意截面图。

图4是在第一实施方式的半导体装置的主要部分的制造方法中表示制造中途的半导体装置的示意截面图。

图5是在第一实施方式的半导体装置的主要部分的制造方法中表示制造中途的半导体装置的示意截面图。