[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201910595463.X | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN110676192A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 富藤幸雄;辻雅夫;大宅宗明 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/66 |
代理公司: | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浮起 测量器 基板 铅垂位置 测量 施加 基板处理装置 浮起工作台 搬运机构 基板处理 涂敷装置 处理液 移动部 涂敷 搬运 | ||
1.一种基板处理装置,处理具有第一主面及第二主面的基板,其中,所述基板处理装置具有:
浮起机构,对所述第一主面在铅垂方向上向上的所述基板施加浮起力;
搬运机构,使被施加所述浮起力的所述基板即浮起基板沿着第一方向移动,所述第一方向为水平方向;
喷嘴,具有沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸的喷出口,能够从所述喷出口朝向所述浮起基板的所述第一主面喷出处理液,所述第二方向为水平方向;
测量器,测量所述浮起基板的铅垂位置;以及
测量器移动机构,使所述测量器沿着所述第二方向移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述测量器移动机构使所述测量器朝向所述第二方向以及所述第一方向的上游侧以及下游侧移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备缓冲部,所述缓冲部设置于如下位置:相对于所述喷嘴位于所述第一方向的上游侧,且至少与所述喷嘴的所述喷出口的顶端部在水平方向上重叠。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述测量器移动机构使所述测量器在第一位置至第二位置之间沿着所述第二方向移动,所述第一位置是能够测量所述浮起基板的来自所述喷嘴的所述处理液附着于所述浮起基板的水平位置即附着水平位置上的铅垂位置的位置,所述第二位置是能够测量所述浮起基板的所述喷嘴喷出所述处理液时的所述缓冲部的水平位置上的铅垂位置的位置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置具有多个所述测量器,多个所述测量器在所述第二方向的不同的位置测量所述浮起基板的铅垂位置。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备连接工具,所述连接工具连接多个所述测量器,
所述测量器移动机构使所述连接工具沿着所述第二方向移动。
7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述浮起机构包括:
工作台,具有水平面;
多个喷出口,设置于所述水平面,朝向所述铅垂方向的上侧喷出空气;以及
多个抽吸口,设置于所述水平面,抽吸所述铅垂方向的上侧的空气。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述测量器移动机构在所述浮起基板的所述第一方向下游侧的端部配置于所述浮起机构包括的工作台的所述第一方向下游侧的边缘部的状态下,使所述测量器沿着所述第二方向移动。
9.一种基板处理方法,处理具有第一主面及第二主面的基板,其中,所述基板处理方法包括:
工序(a),对所述第一主面在铅垂方向上向上的所述基板施加浮起力;
工序(b),使通过所述工序(a)被施加浮起力的所述基板即浮起基板沿着第一方向移动,所述第一方向为水平方向;以及
工序(c),通过使测量所述浮起基板的铅垂位置的测量器沿着与所述第一方向正交的第二方向移动,测量所述浮起基板上的所述第二方向的多个点的铅垂位置,所述第二方向为水平方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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