[发明专利]用于光电设备的控制部件在审
申请号: | 201910596646.3 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN110750018A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | S·诺弗尔 | 申请(专利权)人: | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案化 原位形成 图案化导体层 像素电极阵列 半导体沟道 基质材料层 滤色器材料 导体 导体阵列 电气电路 光电设备 控制部件 栅导体 支撑膜 叠堆 独立寻址 沟道区域 材料层 栅电极 制造 | ||
本公开涉及用于光电设备的控制部件。一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法,所述方法包括:在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层;在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆,像素电极阵列中的每一个经由该电气电路可被独立寻址;其中,形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成:限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层;限定源导体和漏导体之间的半导体沟道的半导体沟道材料层;以及限定栅导体阵列的另一个图案化导体层,该栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。
技术领域
本公开涉及用于光电设备的控制部件。
背景技术
光电设备通常包括用于例如控制光学输出的图案和/或检测光学输入的图案的像素电极阵列。
发明内容
这种光电设备的一个示例是液晶显示(LCD)设备,该LCD设备包括被包含在控制部件和计数器部件(counter component)之间的液晶材料,该控制部件包括可独立寻址像素电极的阵列。设备内在像素之间的区域中可以包括基质(matrix),以例如减少来自像素之间的区域中的金属结构的不想要的反射。
传统上,通过预制备包括预形成在支撑膜(诸如塑料膜)上的基质图案的基质部件并且将预制备的基质部件层叠到包括像素电极的控制部件来包括这种基质。在彩色显示器(colour display)的情况下,包括在基质内的滤色器阵列(例如,红色、绿色和蓝色)的预制备滤色器阵列部件被层叠到包括像素电极的控制部件。
本申请的发明人已经围绕提供将基质和/或滤色器包括到光电设备中的替代技术进行了研究。
由此提供了一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法,该方法包括:在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层;在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆,像素电极阵列中的每一个经由该电气电路可被独立寻址;其中,形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成所述像素电极阵列。
根据一个实施例,该方法包括:在所述图案化基质材料层和/或所述一个或多个图案化滤色器材料层之间提供所述层的叠堆中的一个或多个层。
根据一个实施例,该方法包括:在所述支撑膜之上原位形成所述一个或多个图案化滤色器材料层和所述图案化基质材料层二者,并且所述一个或多个图案化滤色器材料层和所述图案化基质材料层一起限定滤色器阵列,该滤色器阵列包括在相对非透射基质内的滤色器材料的像素。
根据一个实施例,所述一个或多个图案化滤色器材料层包括在可见光谱中的相应波长处表现出峰值透射的一个或多个图案化绝缘材料层。
根据一个实施例,所述层的叠堆包括:限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层;限定沟道区域中的半导体沟道的半导体沟道材料层,在沟道区域中源导体和漏导体在图案化导体层内最接近;以及限定栅导体阵列的另一个图案化导体层,该栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。
根据一个实施例,该方法还包括:形成穿过所述一个或多个图案化滤色器材料层的在所述漏导体的区域中的所述滤色器材料的通孔;以及形成所述像素电极阵列包括在一个或多个图案化滤色器材料层之上原位形成像素电极材料层,并且图案化所述像素电极材料层以便限定所述像素电极阵列,每个像素电极经由相应通孔与相应漏导体接触。
根据一个实施例,所述图案化基质材料层包括所述沟道区域中的基质材料。
根据一个实施例,该方法还包括:在所述支撑膜之上原位形成所述一个或多个图案化滤色器材料层和所述图案化基质材料层二者;以及在所述图案化基质材料层和所述一个或多个图案化滤色器材料层之间提供所述层的叠堆中的一个或多个层。
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