[发明专利]偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管有效
| 申请号： | 201910597001.1 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110379929B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;王健越;邱龙臻;魏雅平 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏心 取向 发射 偏振光 钙钛矿 纳米 发光二极管 | ||
1.偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管，包括ITO导电玻璃阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿纳米线发光层、电子传输层、阴极，其特征在于，钙钛矿纳米线发光层制备步骤为：将合成好的钙钛矿纳米线分散在有机溶剂中，将纳米线分散液滴在远离旋涂中心的基板上旋涂成膜。
2.根据权利要求1所述的偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿纳米线选自CsPbClxBr3-x和CsPbBrxI3-x中的一种或两种，其中x=0～3。
3.根据权利要求1所述的偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)- 聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）。
4.根据权利要求1所述的偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为聚[N，N'-双（4-丁基苯基）-N，N'-双（苯基）联苯胺]（Poly-TPD）。
5.根据权利要求1所述的偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管，其特征在于，所述电子传输层为1,3,5-三（2-N-苯基苯并咪唑基）-苯（TPBi）。
6.根据权利要求1所述的偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管，其特征在于，所述阴极为LiF和Al的复合电极。
7.权利要求1所述的偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，以ITO导电玻璃作为器件的阳极；步骤2，空穴注入层的制备，将PEDOT:PSS旋涂在阳极层ITO导电玻璃上，并退火处理；步骤3，空穴传输层的制备，将Poly-TPD旋涂在PEDOT:PSS薄膜上，并退火处理；步骤4，偏振发光层制备，将分散在有机溶剂中的钙钛矿纳米线滴在远离旋涂中心的 Poly-TPD薄膜基板上，并旋涂；步骤5，电子传输层和阴极的制备，将旋涂过钙钛矿纳米线的基板放入真空腔室中依次 蒸镀TPBi、LiF和Al，完成后得到上述的钙钛矿纳米线偏振发光二极管。
8.如权利要求7所述的偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤2和步骤3的退火温度为140度，时间为15分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
