[发明专利]偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管有效
申请号: | 201910597001.1 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN110379929B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 朱俊;王健越;邱龙臻;魏雅平 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;G02F1/13357 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230009 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏心 取向 发射 偏振光 钙钛矿 纳米 发光二极管 | ||
发明公开了一种偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管,包括ITO导电玻璃阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿纳米线发光层、电子传输层、阴极,其特征在于,钙钛矿纳米线发光层制备步骤为:将合成好的钙钛矿纳米线分散在有机溶剂中,将纳米线分散液滴在远离旋涂中心的基板上旋涂成膜。本发明针对LCD背光源存在的问题,提供了偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管。该结构制作工艺简单,可用于LCD背光源中,提升器件发光效率。
技术领域
本发明主要涉及偏振LED器件发光和纳米结构制作领域,具体是偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管。
背景技术
目前LCD器件是在液晶层的下面和背光源上面使用一层偏振片来制作偏振光源,而这层偏振片使得通过的光能量减少了近40%。如果使用自身就能够发射偏振光的LED背光源,那么不仅能减少光能的浪费,还能省略这一层偏振片,节约成本。因此需要开发简单低成本的偏振LED背光源材料和制作工艺。钙钛矿发光材料是近年来炙手可热的新型发光材料,有着发光效率高,颜色纯,成本低等优秀特性。近来钙钛矿薄膜发光二极管的最高外量子效率超过20%,最大亮度超过100000 cd/m2,说明其发光性能已经达到了一个很高的水平。纳米线/纳米棒材料因其各向异性的特征,出色的长径比而广泛应用于偏振发光领域,比如CdSe纳米棒,InP纳米线等等。但由于材料本身的成本和制作工艺的原因,这些材料的偏振发光器件的成本一直居高不下。而钙钛矿纳米线结合了钙钛矿材料和纳米线的优势,正好可以用来制作高效低廉的偏振发光器件。而制作钙钛矿纳米线偏振发光器件,关键在于如何使在有机溶剂中分散的钙钛矿纳米线在基底上完成有序排列,这关乎到器件发光的偏振度,并且也好兼顾发光性能。因此,如何使钙钛矿纳米线既能在基底上进行有序排列,又能获得不错的发光性能,这个问题急需解决。
发明内容
针对上述背景技术中存在的问题,本发明提供了一种发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管。该结构制作工艺简单,可用于LCD背光源中,提升器件发光效率。
为达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种使用偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管,包括ITO导电玻璃阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿纳米线发光层、电子传输层、阴极,其中钙钛矿纳米线发光层制备步骤为:将合成好的钙钛矿纳米线分散在有机溶剂中,将纳米线分散液滴在远离旋涂中心的基板上旋涂成膜。
所述钙钛矿纳米线选自CsPbClxBr3-x和CsPbBrxI3-x中的一种或两种,其中x=0~3。
所述空穴注入层为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)- 聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)。
所述空穴传输层为聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺](Poly-TPD)。
所述电子传输层为(1,3,5-三(2-N-苯基苯并咪唑基-苯)(TPBi)。
所述阴极为LiF和Al的复合电极。
所述的一种使用偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管,其制备方法为:
步骤1,以ITO导电玻璃作为器件的阳极;
步骤2,空穴注入层的制备,将PEDOT:PSS旋涂在阳极层ITO导电玻璃上,并退火处理;
步骤3,空穴传输层的制备,将Poly-TPD旋涂在PEDOT:PSS薄膜上,并退火处理;
步骤4,偏振发光层制备,将分散在有机溶剂中的钙钛矿纳米线滴在远离旋涂中心的Poly-TPD薄膜基板上,并旋涂;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择