[发明专利]一种无刺花椒高产种植方法

权利要求书

1.一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1土壤改善：选用有机质质量占比60-80％、pH为6.5-7.5的沙质土壤，朝向南，坡度15-20°，在沙质土壤上均匀铺满原料为秸秆、稻壳、花生壳的疏松层，待铺设均匀后采用富含微生物的污泥铺满覆盖形成基土，将形成的基土钉耙打散后再均匀铺设形成地基，同时浇注复合肥料并用地膜覆盖2-3d；

S2区域设定：将S1中地膜覆盖后的地基按照“井”字均匀开挖深度为20-30cm的沟渠分区，将挖掘出的地基土留待备用，同时挖掘出的沟渠内壁铺设碳渣、河沙；将沟渠分区处按照每个分区100-200垄进行隔断，垄高15-20cm同时垄底部开挖深度为5-10cm的排水沟，排水沟内铺设碳渣、河沙；

S3种植穴设定：在S2设定的垄顶端开挖种植穴，按照每垄间隔1-1.5m设置，所述种植穴深度为20-30cm，内壁均匀铺满玉米棒粉末，采用原料为秸秆、稻壳、花生壳的疏松层塞满种植穴底部；

S4幼苗培育：选择颗粒饱满、香气足的无刺花椒果实，室内阴干2-3d，将脱去果皮的种子采用碱水泡制8-10h后置于营养液中催芽，培养20d后选择长势茂盛的幼苗移栽进S3中所述种植穴；同时选取长势茂盛树龄3-5年的无刺花椒雌株上的翠绿枝条，剪取10-15cm浸泡入营养液中催芽生根，培养20d后选择长势茂盛的雌株幼苗移栽进S3中所述种植穴，按照每亩雌株：雄株＝8:1比例间隔种植；所述种植穴在移栽前用天然肥料压实疏松层，并采用S1中富含微生物的污泥铺设在天然肥料上，载种完成后采用S2中挖掘出的地基土填满种植穴，同时使种植穴水平面凸出5-8cm，培养幼苗20-25d，期间每亩间隔5d施加有机肥静待幼苗发育；

S5修叶剪枝：将S4中发育树干的无刺花椒施间隔10d施加复合肥，同时注意间隔5d施加磷肥和钾肥，待树干长度在1m进行修剪，剪去40cm以下发支与背部的强旺支；在成果期，先梳除大枝再剪去病害枝、遮光枝和衰弱枝，并及时施加叶面肥，剪枝完成后只施加天然肥料，间隔7-10d施加磷肥与钾肥直至挂果成熟；

S6果实测定：摘取成熟后的无刺花椒果实，观察外形同时检测其香味。

2.根据权利要求1所述的一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：所述的种植穴分为上段固根室与下段营养室，所述营养室底部对称设置有防水室。

3.根据权利要求2所述的一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：所述的防水室内铺满采用原料为秸秆、稻壳、花生壳的疏松层。

4.根据权利要求2所述的一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：所述的固根室为圆柱体形，所述营养室为长方体形，所述防水室为正方体形。

5.根据权利要求4所述的一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：所述的营养室内铺设有所述S4中天然肥料，并预留2-3cm深度容纳地基土。

6.根据权利要求1所述的一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：所述的疏松层的原料秸秆、稻壳、花生壳与所述河沙、碳渣粒径均为1.2-1.5mm，所述玉米棒粉末粒径为1.0mm。

7.根据权利要求1所述的一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：所述的S4中碱水配方为质量占比10-20％的碳酸氢钠、20-40％的碳酸钠、10-20％的磷酸二氢钾、10-20％的黄腐酸钾、10-20％的β-吲哚乙酸、10-20％的过氧化氢。

8.根据权利要求1所述的一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：所述的S4中天然有机肥料质量占比为：30-40％的家畜粪便、10-20％无刺花椒叶、10-20％的无刺花椒枝、10-20％的棉籽粕、10-20％的鸡蛋壳粉。

9.根据权利要求8所述的一种无刺花椒高产种植方法，其特征在于：所述的无刺花椒枝、无刺花椒叶均采用修枝剪叶后的下发枝、遮光枝、衰弱枝、强旺枝。