[发明专利]存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种凹陷沟道阵列晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

形成依次层叠的基底、第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；

在所述第一半导体层中注入第一离子；

在所述第二半导体层中注入第二离子，所述第一离子与所述第二离子类型相同，且所述第一离子的注入剂量大于所述第二离子的注入剂量；

形成凹槽通道，所述凹槽通道开口于所述第三半导体层，且所述凹槽通道的底部延伸至所述第一半导体层；

通过所述凹槽通道的底部注入第三离子，所述第三离子与所述第一离子类型相反；所述第一离子的注入剂量与所述第二离子的注入剂量的差值，小于所述第三离子的注入剂量；且所述第三离子的注入剂量小于所述第一离子的注入剂量；

形成覆盖所述凹槽通道的表面的栅极绝缘层；

形成栅极，所述栅极填充于所述凹槽通道内；

在所述第三半导体层中注入第四离子，所述第四离子与所述第二离子类型相反。

2.根据权利要求1所述的凹陷沟道阵列晶体管的制备方法，其特征在于，通过所述凹槽通道的底部注入第三离子包括：

形成第一保护层，所述第一保护层暴露所述凹槽通道的表面对应于所述第一半导体层的部分，且所述第一保护层覆盖所述凹槽通道的表面的其余部分以及覆盖所述第三半导体层远离所述第一半导体层的表面；

通过所述凹槽通道的底部，以设定倾斜角度向所述第一半导体层注入第三离子，所述设定倾斜角度为所述第三离子注入的方向与所述第三半导体层的法线方向的夹角。

3.根据权利要求1所述的凹陷沟道阵列晶体管的制备方法，其特征在于，所述第三离子为磷离子或砷离子，所述第三离子的注入能量为3~30keV，所述第三离子的注入剂量为1×e¹²~3×e¹³个/平方厘米。

4.根据权利要求1所述的凹陷沟道阵列晶体管的制备方法，其特征在于，形成栅极包括：

形成栅极，所述栅极远离所述第一半导体层的表面位于所述第三半导体层的相对设置的两表面之间。

5.根据权利要求1所述的凹陷沟道阵列晶体管的制备方法，其特征在于，所述凹陷沟道阵列晶体管的制备方法还包括：

形成层间介质层，所述层间介质层设于所述栅极远离所述第一半导体层的表面。

6.根据权利要求5所述的凹陷沟道阵列晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第三半导体层中注入第四离子包括：

形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述层间介质层和所述栅极绝缘层；

在所述第三半导体层中注入第四离子。

7.根据权利要求1所述的凹陷沟道阵列晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第二半导体层中注入第二离子包括：

在所述第二半导体层和所述第三半导体层中注入第二离子；

在所述第三半导体层中注入第四离子包括：

在所述第三半导体层中注入第四离子，其中，所述第四离子的注入剂量大于所述第二离子的注入剂量。