[发明专利]半导体工艺的方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体工艺的方法，所述方法包括：

在衬底中的第一沟槽中以及在所述衬底中的第二沟槽中共形地沉积第一电介质材料，其中，所述第一沟槽中的所述第一电介质材料的合并横向生长前沿在所述第一沟槽中形成接缝；

在所述第二沟槽中的所述第一电介质材料上沉积第二电介质材料；

平坦化所述第一电介质材料和所述第二电介质材料，其中，在所述平坦化之后，所述第二电介质材料在所述第二沟槽中形成虚设鳍；

处理所述第一沟槽中的所述第一电介质材料以及所述第二沟槽中的所述第一电介质材料和所述虚设鳍，所述第一沟槽中的所述第一电介质材料具有第一上表面，所述第二沟槽中的所述第一电介质材料具有第二上表面，所述处理使得物质在所述第一上表面和所述第二上表面上、在所述接缝中，并且扩散到所述第一沟槽中的所述第一电介质材料中并扩散到所述第二沟槽中的所述第一电介质材料中；

在所述处理之后，刻蚀所述第一沟槽中的所述第一电介质材料以及所述第二沟槽中的所述第一电介质材料和所述虚设鳍，其中，在所述刻蚀期间，所述第二沟槽中的所述第一电介质材料的第一刻蚀速率与所述第一沟槽中的所述第一电介质材料的第二刻蚀速率的比率通过所述第一电介质材料中的所述物质的存在而被改变；以及

在所述第一沟槽中的所述第一电介质材料以及所述第二沟槽中的所述第一电介质材料和所述虚设鳍之上形成栅极结构，所述栅极结构实体接触所述第二沟槽中的所述虚设鳍的两个侧壁和顶表面。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括重复地执行所述处理和所述刻蚀。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括等离子体工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述物质减小所述第一刻蚀速率和所述第二刻蚀速率，在所述刻蚀期间，所述第一刻蚀速率与所述第二刻蚀速率的比率通过所述第一电介质材料中的所述物质的存在而被增加。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述物质增加所述第一刻蚀速率和所述第二刻蚀速率，在所述刻蚀期间，所述第一刻蚀速率与所述第二刻蚀速率的比率通过所述第一电介质材料中的所述物质的存在而被减小。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一电介质材料包括在所述第一沟槽中合并所述第一电介质材料的横向生长前沿以在所述第一沟槽中形成接缝，其中，在所述第二沟槽中没有所述第一电介质材料的横向生长前沿与所述第一电介质材料的另一横向生长前沿进行合并。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理使得所述物质在所述虚设鳍的第三上表面上并扩散到所述虚设鳍中，其中，在所述刻蚀期间，所述虚设鳍的第三刻蚀速率通过所述虚设鳍中的所述物质的存在而被改变。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述物质减小所述第三刻蚀速率。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述物质增加所述第三刻蚀速率。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一上表面的连续宽度大于所述第二上表面的连续宽度。