[发明专利]基板处理设备和喷嘴单元在审
申请号: | 201910602579.1 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110690140A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 韩旻成;金度延;金袗圭;朱润钟 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11410 北京市中伦律师事务所 | 代理人: | 杨黎峰;魏奇 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 处理容器 处理液体 喷嘴单元 分配 基板支撑单元 光供应单元 处理基板 处理空间 喷嘴 自由基 紫外线 活化 发射 支撑 | ||
一种用于处理基板的设备,包括:处理容器,其内部具有处理空间;基板支撑单元,其支撑所述处理容器中的基板并且使所述基板在所述处理容器中旋转;以及喷嘴单元,其将处理液体分配到所述基板上。所述喷嘴单元包括:喷嘴,其分配所述处理液体;和紫外线(UV)光供应单元,其发射UV光以活化分配到所述基板上的所述处理液体的自由基。
技术领域
本文中所描述的本发明构思的实施例涉及一种用于在基板上执行液体处理的设备。
背景技术
例如光刻、沉积、灰化、蚀刻、离子植入、清洗等各种工序被执行以制造半导体装置。在这些工序当中,光刻、灰化、蚀刻和清洗处理是在基板上执行液体处理且各种类型的液体被分配到基板上的工序。
一般地,通过将处理液体分配到基板上而在基板上执行液体处理。在移除基板上的光致抗蚀剂膜的灰化处理中,通过活化处理液体的自由基来移除光致抗蚀剂膜。活化处理液体的自由基的方法包括通过使用强酸化学品或强碱化学品来处理光致抗蚀剂膜的方法。
然而,在利用强酸化学品或强碱化学品处理光致抗蚀剂膜的情况下,难以清洗空气中的杂质和碳污染,且会致使处理误差,例如图案的临界尺寸(CD)的改变。
为了解决此问题,已经提议一种使用臭氧水(ozone water)处理光致抗蚀剂膜的方法。臭氧水的自由基由紫外线(UV)光活化。具有经活化自由基的臭氧水从喷嘴分配以处理基板。
然而,在臭氧水从喷嘴被分配到基板上的处理中,自由基随分配距离和分配时间的增加而减少。为了解决此问题,已经提议通过提高臭氧水的浓度来处理基板的方法。然而,此方法会致使环境污染。
UV光由发光构件4发射,且发光构件4安装在喷嘴2中或液体供给管线6上,如图1所示。发光构件4包括灯。灯的使用寿命可能会结束,或灯可能会损坏。由于此,具有去活化的自由基的臭氧水被分配到基板W上,从而在液体处理时导致缺陷。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种设备和喷嘴单元,其通过将处理液体分散在发光构件上方或与发光构件进行接触而最小化对发光构件的污染和损坏。
此外,本发明构思的实施例提供一种设备和喷嘴单元,其将具有大量活化自由基的液体分配到基板上。
另外,本发明构思的实施例提供一种设备和喷嘴单元,其将大量自由基分配到基板上而不提高臭氧水的浓度。
本发明构思解决的技术问题不限于上文所提及的问题,且本发明构思所属的领域的技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其它技术问题。
根据示例性实施例,一种用于处理基板的设备包括:处理容器,其内部具有处理空间;基板支撑单元,其支撑处理容器中的基板并使基板在处理容器中旋转;以及喷嘴单元,其将处理液体分配到基板上。喷嘴单元包括:喷嘴,其分配处理液体;以及紫外线(UV)光供应单元,其发射UV光以活化分配在基板上的处理液体的自由基。
喷嘴单元可进一步包括:臂,喷嘴和UV光供应单元安装在所述臂上;和臂致动器,其使臂移动。
UV光供应单元可包括:灯管,所述灯管在其相对的两端气密地密封以在内部形成放电空间;和一对连接器,所述一对连接器安装在灯管的相对的两端上且包括灯丝。灯管可具有U形形状,所述灯管包括平行于基板的水平部分以及从水平部分的相对的两端竖直向上延伸的竖直部分,连接器安装在竖直部分上。
臂可包括灯安装部件,所述灯安装部件具有其中接收UV光供应单元的接收空间。所述接收空间可在面向基板的底部处开口,且灯管的水平部分可位于开口的底部处。
灯管可由透射从灯管发射的UV光的材料形成。
灯管可由包含石英玻璃的材料形成。
UV光供应单元可进一步包括反射器,所述反射器将灯管发射的UV光朝向基板引导。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造