[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

位线，连接于存储单元；

第一节点，电连接于所述位线；

第一驱动器，将所述第一节点充电至第一电压；

第一缓冲电路，基于所述第一节点的电压，存储数据；

总线，电连接于所述第一缓冲电路；

第一晶体管，连接于所述第一节点与所述总线之间；及

第二缓冲电路，电连接于所述总线；且

所述第一缓冲电路连接于所述第一驱动器的输入端，

基于所述第一缓冲电路中存储的数据，所述第一驱动器对所述总线的电压进行释放或充入。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备第二晶体管，该第二晶体管连接于所述第一缓冲电路与所述总线之间，且

通过将所述第一晶体管及所述第二晶体管设定成接通状态，而对所述总线的电压进行释放或充入。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备第三晶体管，该连接于所述位线与所述第一节点之间，且

在对所述总线的电压进行释放或充入的期间，所述第三晶体管被设定成断开状态。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一驱动器具有第一n通道MOS场效晶体管与第一p通道MOS场效晶体管，且

在对所述总线的电压进行释放的期间，所述第一n通道MOS场效晶体管被设定成接通状态，

在对所述总线充入电压的期间，所述第一p通道MOS场效晶体管被设定成接通状态。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第一缓冲电路具有将第一及第二变流器的输入端与输出端相互连接的锁存电路，且

所述第一变流器的输出端连接于所述第一驱动器的所述输入端，

所述第二变流器的输出端连接于所述第二晶体管。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中所述第二变流器具有第二n通道MOS场效晶体管与第二p通道MOS场效晶体管，且

在对所述总线的电压进行释放的期间，所述第二n通道MOS场效晶体管被设定成接通状态，所述第二p通道MOS晶体管被设定成断开状态。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体存储装置，其中所述第一驱动器在对所述总线的电压进行释放或充入之前，将所述位线充电至所述第一电压。

8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第一晶体管比所述第二晶体管先被设定成接通状态。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体存储装置，还具备：

第四晶体管，第一端连接于所述总线，第二端被供给所述第一电压；及

第五晶体管，连接于所述总线与所述第二缓冲电路之间。

10.一种半导体存储装置，具备：

位线，连接于存储单元；

第一晶体管，电连接于所述位线；

第二晶体管，经由第一节点电连接于所述第一晶体管；

第一驱动器，电连接于所述第一节点，对所述位线施加第一电压；

第三晶体管，经由第二节点电连接于所述第二晶体管；

总线，电连接于所述第三晶体管；

第四晶体管，栅极连接于所述第二节点；

第一存储电路，具有第一端及第二端，所述第一端电连接于所述第四晶体管；

第五晶体管，连接于所述第一存储电路的所述第一端与所述总线之间；及

第二存储电路，连接于所述总线；且

所述第一存储电路的所述第二端连接于所述第一驱动器的输入端，

基于所述第一存储电路的所述第二端的电压，所述第一驱动器对所述总线的电压进行释放或充入。