[发明专利]一种光电晶体及光电晶体阵列在审
| 申请号： | 201910604106.5 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110311009A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 叶荣辉 | 申请（专利权）人： | 四川美阔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/0352;H01L27/144 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 刘沙粒 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区玉龙*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基极区 发射极区 光电晶体 集电极区 垂直投影位置 光电晶体阵列 崩溃电压 光灵敏度 频率响应 集电极 隔开 掺杂 | ||
1.一种光电晶体，其特征在于，包括：
集电极区，连接有集电极；
基极区，连接有基极，所述基极区设置在集电极区内，其中所述基极区包括第一基极区和第二基极区；
发射极区，连接有发射极，所述发射极区设置在基极区内，其中所述第一基极区设置在发射极区的垂直投影位置，所述第二基极区设置在发射极区的周围，其中所述第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的一种光电晶体，其特征在于，所述基极区隔离集电极区和发射极区，所述基极连接第二基极区。
3.根据权利要求1所述的一种光电晶体，其特征在于，所述第一基极区的掺杂浓度为第二基极区的掺杂浓度的10到1000倍。
4.根据权利要求1所述的一种光电晶体，其特征在于，所述第二基极区的厚度大于第一基极区的厚度。
5.根据权利要求1所述的一种光电晶体，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在集电极区的第一表面、发射极区未设置有发射极的表面以及基极区未设置有基极的表面上。
6.一种光电晶体阵列，其特征在于，包括：
复数个光电晶体，以矩阵方式排列，其中各个光电晶体包括：
集电极区，所述集电极区包括第一表面和第二表面，集电极区连接有集电极；
基极区，所述基极区设置在所述集电极区的第一表面上，基极区包括第一基极区和第二基极区，基极区连接有基极；
发射极区，所述发射极区设置在基极区内，其中所述第一基极区设置在发射极区的垂直投影位置，第二基极区设置在发射极区的周围，其中所述第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区的掺杂浓度，所述发射极区连接有发射极。
7.根据权利要求6所述的一种光电晶体阵列，其特征在于，相邻的光电晶体共享所述第二基极区。
8.根据权利要求6所述的一种光电晶体阵列，其特征在于，还包括间隔通道，所述间隔通道位于相邻的光电晶体之间，并用以隔离相邻的光电晶体的第二基极区。
9.根据权利要求6所述的一种光电晶体阵列，其特征在于，所述基极区隔离集电极区和发射极区，所述基极连接第二基极区。
10.根据权利要求6所述的一种光电晶体阵列，其特征在于，所述第一基极区的掺杂浓度为第二基极区的掺杂浓度的10到1000倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川美阔电子科技有限公司，未经四川美阔电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910604106.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光检测装置及光检测测距装置
- 下一篇：一种基于石墨烯纳米带的红外宽光谱探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
