[发明专利]一种光电晶体及光电晶体阵列

说明书

本发明提供一种光电晶体，主要包括集电极区、基极区及发射极区，其中基极区设置在集电极区内，而发射极区则设置在基极区内，并以基极区隔开发射极区及集电极区。基极区包括第一基极区及第二基极区，其中第一基极区位于发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围。此外第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区，使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。

技术领域

本发明涉及一种光电晶体，主要使得不同区域的基极区具有不同的掺杂浓度，以使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。

背景技术

图1为现有的光电晶体的剖面示意图，如图1所示，光电晶体10主要包括集电极区11、基极区13及发射极区15，其中集电极区11、基极区13及发射极区15分别连接有集电极111、基极131及发射极151。

光电晶体10主要以集电极区11作为基底，并于集电极区11的上表面透过掺杂(doping)的方式形成基极区13，而后在于基极区13的上表面透过掺杂的方式形成发射极区15，其中基极区13环绕设置在发射极区15的周围，并用以隔离集电极区11及发射极区15。

当光照射在光电晶体10的基极区13时会产生基极电流，其中基极电流是由光的强度所决定，当没有光照射在基极区13时，光电晶体10将会是截止(off)状态。

发明内容

本发明的目的之一，在于提供一种光电晶体，主要包括集电极区、基极区及发射极区，其中基极区设置在集电极区的上表面，发射极区设置在基极区内，并以基极区隔开发射极区及集电极区。此外设置在不同区域的基极区具有不同的掺杂浓度，以使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。

本发明的目的之一，在于提出一种光电晶体，其中被发射极区遮挡的第一基极区的掺杂浓度大于未被发射极区遮挡的第二基极区。透过增加光电晶体中被发射极区遮挡的第一基极区的掺杂浓度，将可在不影响光电晶体的光灵敏度的前提下，有效提高光电晶体的崩溃电压。此外透过降低光电晶体中未被发射极区遮挡的第二基极区的掺杂浓度，则可有效提高光电晶体的(电流)增益及光灵敏度。

本发明的目的之一，在于提出一种光电晶体，其中被发射极区遮挡的第一基极区的掺杂浓度大于未被发射极区遮挡的第二基极区。此外可进一步减少发射极区的设置面积及比例，以提高光电晶体的频率响应。

为达成上述目的，本发明提供一种光电晶体，包括：集电极区，连接有集电极；基极区，连接有基极，基极区设置在集电极区内，其中基极区包括第一基极区和第二基极区；以及发射极区，连接有发射极，发射极区设置在基极区内，其中第一基极区设置在发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围，其中第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区的掺杂浓度。

本发明还提供一种光电晶体阵列，包括：复数个光电晶体，以矩阵方式排列，其中各个光电晶体包括：集电极区，包括第一表面和第二表面，其中集电极区连接有集电极；基极区，设置在集电极区的第一表面上，并包括第一基极区和第二基极区，其中基极区连接有基极；以及发射极区，设置于基极区内，其中第一基极区设置在发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围，其中第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区的掺杂浓度，其中发射极区连接有发射极。