[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1存储单元；

第1配线，连接于所述第1存储单元，在第1配线层中沿着第1方向延伸；

第1感测放大器，连接于所述第1配线；

第2配线，连接于所述第1感测放大器，在所述第1配线层中沿着所述第1方向延伸；及

第1锁存电路，连接于所述第2配线；且

所述第1配线中朝向所述第1方向那侧的端面和所述第2配线中朝向与所述第1方向相反的方向那侧的端面对向。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备第2配线层中的第3配线，

所述第3配线连接于所述第1感测放大器与所述第2配线，且与所述第1配线层在积层方向上位于不同位置。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第3配线沿着所述第1方向延伸，且

所述半导体存储装置还具备第4配线，所述第4配线连接于所述第3配线与所述第2配线，在所述第2配线层中沿着与所述第1方向相交的第2方向延伸。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第3配线的宽度宽于所述第1配线的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1配线的宽度与所述第2配线的宽度是相同的宽窄。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备相对于所述第2配线的屏蔽配线。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备并联连接于所述第2配线的配线。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，还具备相对于所述第2配线的屏蔽配线。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第2存储单元；

第5配线，连接于所述第2存储单元，在所述第1配线层中沿着所述第1方向延伸；

第2感测放大器，连接于所述第5配线；及

第2锁存电路，经由所述第2配线连接于所述第2感测放大器。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，还具备第2配线层中的第3配线，

所述第3配线连接于所述第1感测放大器、所述第2感测放大器及所述第2配线，且与所述第1配线层在积层方向上位于不同位置。

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

所述第5配线中朝向所述第1方向那侧的端面与所述第1配线中朝向所述第1方向那侧的端面在所述第1方向上位于同一位置。

12.根据权利要求9所述的半导体存储装置，还具备在所述第1配线层中沿着所述第1方向延伸的第6配线，且

所述第5配线中朝向所述第1方向那侧的端面和所述第6配线中朝向与所述第1方向相反的方向那侧的端面对向，

所述第6配线是屏蔽配线。

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中

所述第6配线中朝向与所述第1方向相反的方向那侧的端面和所述第2配线中朝向与所述第1方向相反的方向那侧的端面在所述第1方向上位于同一位置。

14.根据权利要求9所述的半导体存储装置，还具备在所述第1配线层中沿着所述第1方向延伸的第6配线，且

所述第5配线中朝向所述第1方向那侧的端面和所述第6配线中朝向与所述第1方向相反的方向那侧的端面对向，

所述第2配线与所述第6配线并联连接。

15.根据权利要求14所述的半导体存储装置，其中

所述第6配线中朝向与所述第1方向相反的方向那侧的端面和所述第2配线中朝向与所述第1方向相反的方向那侧的端面在所述第1方向上位于同一位置。