[发明专利]一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法及装置

权利要求书

1.一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述毫米波雷达芯片量产测试方法包括以下步骤：

步骤S1，提供一被测芯片；

步骤S2，使所述被测芯片的发射端发射一第一射频信号，并使所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号；

步骤S3，提供一交流直流转换器件使所述第一射频信号转换为一直流信号；

步骤S4，提供一集成电路自动测试装置对所述直流信号进行测试，以及对所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号进行测试。

2.根据权利要求1所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述被测芯片的发射端通过馈电电缆与所述接收端连接。

3.根据权利要求1所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第一射频信号经衰减后被所述被测芯片的接收端接收。

4.根据权利要求3所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S2中，提供一线缆衰减器，所述被测芯片的发射端通过所述线缆衰减器连接至所述被所述被测芯片的接收端。

5.根据权利要求4所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述第一射频信号被耦合至所述交流直流转换器件。

6.根据权利要求5所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S3中，提供一耦合器，所述耦合器的输入端连接所述被测芯片的发射端，所述耦合器的耦合端连接所述交流直流转换器件。

7.根据权利要求6所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述耦合器提供一直通端，所述直通端通过所述线缆衰减器连接所述被测芯片的接收端。

8.根据权利要求1所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述集成电路自动测试装置将所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号采集为一接收信号，所述成电路自动测试装置根据所述接收信号及所述接收信号对应的中频信号对所述被测芯片的接收性能进行测试。

9.一种新型的毫米波雷达芯片量产测试装置，其特征在于，包括：

一被测芯片，所述被测芯片用以发射一射频信号；

一耦合器，所述耦合器的输入端连接所述被测芯片的发射端，

一交流直流转换器件，所述交流直流转换器件的输入端连接所述耦合器的耦合端，用以交流信号转换成一直流信号；

一集成电路自动测试机，所述集成电路自动测试机连接所述交流直流转换器件的输出端，将所述直流信号进行测试过程；

一线缆衰减器，所述线缆衰减器的输入端连接所述耦合器的直通端；所述线缆衰减器的输出端连接所述被测芯片的接收端。