[发明专利]一种矢量调制器在审

专利信息
申请号: 201910607613.4 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN110474610A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 李凌云;骆睿 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H03C1/14 分类号: H03C1/14;H03C1/58
代理公司: 31002 上海智信专利代理有限公司 代理人: 邓琪<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 耦合器 矢量调制器 信号输出端 信号输入端 调制模块 正交的 两路 调制 输入输出耦合器 传输线 输出耦合器 输入耦合器 补偿相位 对称平衡 两路信号 一路信号 调制器 双平衡 延迟 占用
【权利要求书】:

1.一种矢量调制器,其特征在于,包括:

一输入耦合器(N1),为90°耦合器,其具有两个信号输出端,设置为产生两路彼此正交的信号;

一输出耦合器(N2),为90°耦合器,其具有两个信号输入端,设置为将两路信号合成为一路信号;和

一结构对称的调制模块(100),包括分别设置于其中一个所述信号输出端和其中一个所述信号输入端之间的第一调制耦合器(N3)和第二调制耦合器(N4),设置为对两路彼此正交的信号进行幅度和相位的调节。

2.根据权利要求1所述的矢量调制器,其特征在于,所述第一调制耦合器(N3)具有通过传输线相连的第一调制端口(31)、第二调制端口(32)和通过传输线相连的第三调制端口(33)、第四调制端口(34),第一调制端口(31)与一第一可变阻抗模块(101)相连,第二调制端口(32)与所述输入耦合器(N1)的信号输出端相连,第三调制端口(33)与所述输出耦合器(N2)的信号输入端相连,第四调制端口(34)与一第二可变阻抗模块(102)相连;

且所述第二调制耦合器(N4)具有通过传输线相连的第五调制端口(41)、第六调制端口(42)和通过传输线相连的第七调制端口(43)、第八调制端口(44),第五调制端口(41)与一第三可变阻抗模块(103)相连,第六调制端口(42)与所述输入耦合器(N1)的信号输出端相连,第七调制端口(43)与输出耦合器(N2)的信号输入端相连,第八调制端口(44)与一第四可变阻抗模块(104)相连。

3.根据权利要求2所述的矢量调制器,其特征在于,所述第一、第二、第三和第四可变阻抗模块(101、102、103、104)均包括PIN二极管(P)和直流源(V),所述PIN二极管(P)的阻抗通过调节所述直流源(V)的电压来调制。

4.根据权利要求3所述的矢量调制器,其特征在于,所述第一、第二、第三和第四可变阻抗模块(101、102、103、104)均包括电容(C)和电感(L),所述PIN二极管(P)、电容(C)、直流源(V)和电感(L)依次相连并形成回路,所述PIN二极管(P)和电容(C)的连接点接地,所述第一、第二、第三和第四可变阻抗模块(101、102、103、104)分别通过其电感(L)和PIN二极管(P)的连接点来与所述第一调制端口(31)、第四调制端口(34)、第五调制端口(41)和第八调制端口(44)相连。

5.根据权利要求2所述的矢量调制器,其特征在于,所述第一调制端口(31)通过一第一传输延时线(M1)与所述第一可变阻抗模块(101)相连,且第八调制端口(44)通过一第二传输延迟线(M2)与所述第四可变阻抗模块(104)相连;或所述第四调制端口(34)通过一第一传输延时线(M1)与所述第二可变阻抗模块(102)相连,且所述第八调制端口(44)通过一第二传输延迟线(M2)与所述第四可变阻抗模块(104)相连。

6.根据权利要求5所述的矢量调制器,其特征在于,所述第一传输延时线(M1)和第二传输延时线(M2)均为八分之一波长传输线。

7.根据权利要求1所述的矢量调制器,其特征在于,所述输入耦合器(N1)具有通过传输线相连的第一端口(11)、第二端口(12)和通过传输线相连的第三端口(13)、第四端口(14),所述第二端口(12)、第三端口(13)均为所述信号输出端;

且输出耦合器(N2)具有通过传输线相连的第五端口(21)、第六端口(22)和通过传输线相连的第七端口(23)、第八端口(24),所述第五端口(21)、第八端口(24)均为所述信号输入端。

8.根据权利要求7所述的矢量调制器,其特征在于,所述第一端口(11)与一输入信号相连,所述第六端口(22)与一输出端口相连。

9.根据权利要求8所述的矢量调制器,其特征在于,所述第四端口(14)通过一第一电阻(R1)接地,且所述第七端口(23)通过一第二电阻(R2)接地。

10.根据权利要求1所述的矢量调制器,其特征在于,所述输入耦合器(N1)、输出耦合器(N2)、第一调制耦合器(N3)和第二调制耦合器(N4)均采用多层耦合结构。

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