[发明专利]耦合出光层材料及其制备方法和电致发光器件在审

专利信息
申请号: 201910608300.0 申请日: 2019-07-08
公开(公告)号: CN110396111A 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 王彦杰 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C07F7/08 分类号: C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 耦合出光 电致发光器件 取代苯胺 硅烷 制备 结构通式
【权利要求书】:

1.一种耦合出光层材料,包括硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺,所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式:

其中,式1中的n=1,或2,式2中的m=0,1,或2;

式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物:

以及

在式1及式2中,其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者或其衍生物:

2.如权利要求1所述的耦合出光层材料,其中所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括下列结构式中任一者或其衍生物:

3.一种电致发光器件,包括如权利要求1所述的耦合出光层材料。

4.一种耦合出光层材料的制备方法,包括如下步骤:

步骤S1、在有机溶剂中加入下列硅烷萘[3,2,1-de]蒽化合物或其衍生物中的至少一者以及卤化剂,在第一温度下反应第一时长以得到第一反应液,所述第一反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物,所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物是择自下列结构式中任一者;

其中,X为卤素;

步骤S2、自所述第一反应液中分离出所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物;

步骤S3、在含碱的溶液中加入所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物、Pd2(dba)3、以及磷催化剂,在惰性气体的环境中与苯胺进行反应得到第二反应液,所述第二反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺;以及

步骤S4、将所述第二反应液冷却至第二温度后,自所述第二反应液中分离出所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺,

其中,所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式:

其中,式1中的n=1,或2,式2中的m=0,1,或2;

式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物:

以及

在式1及式2中,其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者、或其衍生物:

5.如权利要求4所述的耦合出光层材料的制备方法,其中所述第一温度为室温,以及所述第二温度为室温;所述第一时长为6小时至36小时。

6.如权利要求4所述的耦合出光层材料的制备方法,其中,

在步骤S1中,所述卤化剂为N-溴代丁二酰亚胺,以及所述有机溶剂为氯仿;以及

在步骤S3中,所述碱为叔丁醇钠,以及所述磷催化剂为PtBu3·BF4

7.如权利要求4所述的耦合出光层材料的制备方法,其中,所述步骤S1更包括将所述第一反应液经过萃取、水洗、脱水、过滤、以及离心干燥处理以得到所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物。

8.如权利要求4所述的耦合出光层材料的制备方法,其中,所述步骤S4更包括将所述第二反应液经过萃取、水洗、脱水、过滤、以及离心干燥处理以得到所述耦合出光层材料。

9.如权利要求4所述的耦合出光层材料的制备方法,其中,所述步骤S1及步骤S4系使用管柱层析进行分离,所述管柱层析所采用的淋洗液为体积比5:1的石油醚:二氯甲烷。

10.如权利要求4所述的耦合出光层材料的制备方法,其中所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括下列结构式中任一者或其衍生物:

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