[发明专利]耦合出光层材料及其制备方法和电致发光器件

说明书

本发明提供了一种耦合出光层材料及其制备方法和电致发光器件，所述耦合出光层(CPL)材料，包括硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式：其中，式1中的n＝1,或2，式2中的m＝0,1,或2；式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物：以及在式1及式2中，其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者或其衍生物：

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种耦合出光层(CPL)材料及其制备 方法和电致发光器件。

背景技术

有机发光二极管(organic lighting-emitting diodes,OLEDs)，由于主动发 光、可视角度大、相应速度快、温度适应范围宽、驱动电压低、功耗小、亮 度大、生产工艺简单、轻薄、且可以柔性显示等优点，在OLED显示和照明 领域表现出巨大的应用前景，吸引了科研工作者和公司的关注。无论是底发 射器件还是顶发射器件，电致产生的光大部分都在器件内部而损耗，而不能 有效将产生的光从器件内取出。目前，通用的解决办法是在器件电极外镀有 机的耦合出光层(capping layer,CPL)，增加光取出效率。而要想实现增加耦 合出光，通常选取有机CPL是高折射率的材料，减少光的损失，从而提高器 件的性能。

据此，亟需开发一种可提高器件效率的耦合出光层(CPL)材料。

发明内容

本发明的目的在于提供一种耦合出光层(capping layer,CPL)材料，相较于 一般的耦合出光材料(CPL)是咔唑或苯基取代苯胺类，本发明所提出的耦 合出光层(CPL)材料包括一系列硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺类分子。这类分 子通过将三苯胺中的苯环通过碳硅键进行连接，形成硅烷萘[3,2,1-de]蒽， 以此合成取代芳基胺类材料。这类材料刚性、平面性的增强，不仅能增加CPL 热稳定性，而且可使材料的折射率明显提高，有利于耦合出光。藉此实现高 热稳定性、高折射率耦合出光材料设计合成，制造出基于该有机发光材料的 显示设备和电子设备，赋予有机电致发光器件高效率。

为实现上述目的，本发明提供了一种耦合出光层(CPL)材料，包括硅烷萘 [3,2,1-de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括式1或式2所 示的结构通式：

其中，式1中的n＝1,或2，式2中的m＝0,1,或2；

式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物：

以及

在式1及式2中，其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者或其衍 生物：

依据本发明的一实施例，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括下列结 构式中任一者或其衍生物：

本发明还提供了一种耦合出光层(CPL)材料的制备方法，包括如下步骤：

步骤S1、在有机溶剂中加入下列硅烷萘[3,2,1-de]蒽化合物或其衍生物 中的至少一者以及卤化剂，在第一温度下反应第一时长以得到第一反应液， 所述第一反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽 之卤化物是择自下列结构式中任一者：

其中，X为卤素；

步骤S2、自所述第一反应液中分离出硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物；