[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜有效
| 申请号： | 201910609385.4 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110696148B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 市川慎也;深谷知巳 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B28B1/30 | 分类号： | B28B1/30;B28B1/32;C09D183/07;C08L83/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 制造 工序 剥离 | ||
1.一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备基材与设置于所述基材的单面侧的剥离剂层，其特征在于，
所述剥离剂层由剥离剂组合物形成，所述剥离剂组合物含有：
不具有聚有机硅氧烷链与倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物A；
具有聚有机硅氧烷链且不具有倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物B；
具有倍半硅氧烷骨架的化合物C；及
光聚合引发剂D，
所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物C由RSiO1.5这一基本结构单元与任选具有的R2SiO这一基本结构单元构成，
所述R为活性能量射线固化性基团及甲基中的至少一种，
构成所述RSiO1.5这一基本结构单元的所述R中至少一个为所述活性能量射线固化性基团，
活性能量射线固化性基团为选自(甲基)丙烯酰基及马来酰亚氨基中的一种。
2.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物C具有聚有机硅氧烷链。
3.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述活性能量射线固化性化合物A在1分子中具有3个以上的(甲基)丙烯酰基。
4.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂组合物中，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物C的含量相对于所述活性能量射线固化性化合物A与所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物C的含量的总计的比为0.03以上、0.50以下。
5.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂组合物中，所述活性能量射线固化性化合物B的含量相对于所述活性能量射线固化性化合物A、所述活性能量射线固化性化合物B及所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物C的含量的总计的比为0.003以上、0.05以下。
6.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂层的、与所述基材为相反侧的面的表面自由能为15mJ/m2以上、35mJ/m2以下。
7.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂层的厚度为0.05μm以上、2.0μm以下。
8.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂层的、与所述基材为相反侧的面的最大突起高度Rp1为5nm以上、100nm以下。
9.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述基材的、与所述剥离剂层为相反侧的面的最大突起高度Rp2为30nm以上、500nm以下。
10.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，在所述基材与所述剥离剂层之间具备抗静电层。
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