[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一基底，所述第一基底包括第一像素区、第二像素区和第三逻辑区，所述第三逻辑区内具有第三逻辑电路；

与所述第一基底相互固定的第二基底，所述第二基底包括第一逻辑区、第二逻辑区和第三像素区，所述第一逻辑区内具有第一逻辑电路，所述第一逻辑电路对所述第一像素区的像素进行逻辑控制，所述第二逻辑区内具有第二逻辑电路，所述第二逻辑电路对所述第二像素区的像素进行逻辑控制，所述第三逻辑电路对所述第三像素区的像素进行逻辑控制。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：所述第一逻辑电路、所述第二逻辑电路和所述第三逻辑电路中的两者或三者互相电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：所述第一像素区在所述第二基底表面的投影与所述第一逻辑区部分或全部重合；所述第二像素区在所述第二基底表面的投影与所述第二逻辑区部分或全部重合；所述第三像素区在所述第一基底表面的投影与所述第三逻辑区部分或全部重合。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：所述第一基底包括：第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面；位于所述第二面上的第一器件层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：在垂直于所述第一面的方向上，所述第一基底具有第一厚度，所述第一厚度的范围为5微米～20微米。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬底包括：位于所述第一像素区内的若干第一光电二极管区；位于所述第二像素区内的若干第二光电二极管区。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件层包括：位于第一像素区的第四逻辑电路，所述第四逻辑电路与所述第一逻辑电路电连接；位于第二像素区的第五逻辑电路，所述第五逻辑电路与所述第二逻辑电路电连接；位于所述第三逻辑区的所述第三逻辑电路。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件层还包括：位于所述第一衬底第一像素区的第二面上的第一传输栅极结构；位于所述第一衬底第二像素区的第二面上的第二传输栅极结构。

9.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底包括：第二衬底，所述第二衬底具有相对的第三面和第四面，且所述第三面朝向所述第一衬底固定；位于所述第三面上的第二器件层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：贯穿所述第二基底的第二导电插塞结构。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：在垂直于所述第三面的方向上，所述第二基底具有第二厚度，所述第二厚度的范围为5微米～20微米。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二衬底包括：位于所述第三像素区内的若干第三光电二极管区。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二器件层包括：位于所述第三像素区的第六逻辑电路，所述第六逻辑电路与所述第三逻辑电路电连接；位于所述第一逻辑区的所述第一逻辑电路；位于所述第二逻辑区的所述第二逻辑电路。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第二器件层还包括：位于所述第二衬底第三像素区的第三面上的第三传输栅极结构。

15.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一基底和所述第二基底之间的第三基底。