[发明专利]一种压控振荡器电路及芯片有效
申请号: | 201910611048.9 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN110266308B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 吴永辉;魏洪涛;吴洪江 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压控振荡器 电路 芯片 | ||
1.一种压控振荡器电路,其特征在于,包括第一晶体管模块、第二晶体管模块、耦合线和限流模块;
所述耦合线的第一端与所述第一晶体管模块的高电位端共接形成所述压控振荡器电路的第一输出端,所述耦合线的第二端与所述第二晶体管模块的受控端相连,所述耦合线的第三端与所述第一晶体管模块的受控端相连,所述耦合线的第四端与所述第二晶体管模块的高电位端共接形成所述压控振荡器电路的第二输出端,所述耦合线的接地端接地,所述耦合线的电压输入端为所述压控振荡器电路的第一输入端,所述第一晶体管模块的低电位端、所述第二晶体管模块的低电位端和所述限流模块的第一端相连,所述限流模块的第二端为所述压控振荡器电路的第二输入端;所述耦合线的第一端和所述耦合线的第二端在所述耦合线的同一侧,所述耦合线的第三端和所述耦合线的第四端在所述耦合线的同一侧;所述耦合线的第一端和所述耦合线的第四端分别为耦合线的第一条传输线的两端,所述耦合线的第二端和所述耦合线的第三端分别为耦合线的第二条传输线的两端;
所述压控振荡器电路的第一输入端用于输入调谐电压和偏置电压,所述压控振荡器电路的第二输入端用于输入负电压;
所述第一晶体管模块包括第一异质结双极型晶体管,所述第二晶体管模块包括第二异质结双极型晶体管,异质结双极性晶体管的发射极线条宽度为1μm,发射极尺寸为1μm×10μm,当所述限流模块的输入电压VEE为-5V时,调谐电压VTUNE在-2~0V之间变化时,所述压控振荡器电路的输出频率为16~32GHz。
2.如权利要求1所述的压控振荡器电路,其特征在于,所述第一晶体管模块包括第一异质结双极型晶体管;
所述第一异质结双极型晶体管的集电极为所述第一晶体管模块的高电位端,所述第一异质结双极型晶体管的发射极为所述第一晶体管模块的低电位端,所述第一异质结双极型晶体管的基极为所述第一晶体管模块的受控端。
3.如权利要求1所述的压控振荡器电路,其特征在于,所述第二晶体管模块包括第二异质结双极型晶体管;
所述第二异质结双极型晶体管的集电极为所述第二晶体管模块的高电位端,所述第二异质结双极型晶体管的发射极为所述第二晶体管模块的低电位端,所述第二异质结双极型晶体管的基极为所述第二晶体管模块的受控端。
4.如权利要求1所述的压控振荡器电路,其特征在于,所述限流模块包括电阻,所述电阻的第一端为所述限流模块的第一端,所述电阻的第二端为所述限流模块的第二端。
5.如权利要求2或3所述的压控振荡器电路,其特征在于,所述异质结双极型晶体管由InP工艺制成。
6.如权利要求2或3所述的压控振荡器电路,其特征在于,所述异质结双极型晶体管的截止频率180GHz,最大直流增益为50。
7.一种压控振荡器芯片,其特征在于,包括基板和设置在所述基板上的如权利要求1-6任意一项所述的压控振荡器电路。
8.如权利要求7所述的压控振荡器芯片,其特征在于,所述基板上还包括地-信号-地焊盘和电源偏置焊盘。
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