[发明专利]一种压控振荡器电路及芯片

说明书

本发明涉及技术领域，公开了一种压控振荡器电路及芯片，包括第一晶体管模块、第二晶体管模块、耦合线和限流模块；耦合线的第一端与第一晶体管模块的高电位端共接，耦合线的第二端与第二晶体管模块的受控端相连，耦合线的第三端与第一晶体管模块的受控端相连，耦合线的第四端与第二晶体管模块的高电位端共接，耦合线的电压输入端为压控振荡器电路的第一输入端，第一晶体管模块的低电位端、第二晶体管模块的低电位端和限流模块的第一端相连，限流模块的第二端为压控振荡器电路的第二输入端。本发明通过耦合线、第一晶体管模块和第二晶体管模块的交叉耦合反馈设计，实现了压控振荡器的输出频率大的调谐范围的超宽带特性。

技术领域

本发明涉及微波集成电路技术领域，尤其涉及一种压控振荡器电路及芯片。

背景技术

在微波收发前端系统中，频率源作为核心模块，是整个系统正常工作的保障，而高性能的压控振荡器(VCO)是频率源的主要组成部分。

压控振荡器的性能指标是评价其优劣的重要参照标准，在不同应用领域，参照的性能指标的侧重点会有偏移。压控振荡器的调谐范围是考量压控振荡器的性能的重要指标，目前的压控振荡器的输出频率的调谐范围较小，不能满足使用要求。

发明内容

本发明实施例提供了一种压控振荡器电路及芯片，旨在解决目前压控振荡器的输出频率的调谐范围较小的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种压控振荡器电路，包括第一晶体管模块、第二晶体管模块、耦合线和限流模块；

所述耦合线的第一端与所述第一晶体管模块的高电位端共接形成所述压控振荡器电路的第一输出端，所述耦合线的第二端与所述第二晶体管模块的受控端相连，所述耦合线的第三端与所述第一晶体管模块的受控端相连，所述耦合线的第四端与所述第二晶体管模块的高电位端共接形成所述压控振荡器电路的第二输出端，所述耦合线的接地端接地，所述耦合线的电压输入端为所述压控振荡器电路的第一输入端，所述第一晶体管模块的低电位端、所述第二晶体管模块的低电位端和所述限流模块的第一端相连，所述限流模块的第二端为所述压控振荡器电路的第二输入端；所述耦合线的第一端和所述耦合线的第二端在所述耦合线的同一侧，所述耦合线的第三端和所述耦合线的第四端在所述耦合线的同一侧；所述耦合线的第一端和所述耦合线的第四端分别为耦合线的第一条传输线的两端，所述耦合线的第二端和所述耦合线的第三端分别为耦合线的第二条传输线的两端；

所述压控振荡器电路的第一输入端用于输入调谐电压和偏置电压，所述压控振荡器电路的第二输入端用于输入负电压。

在本申请的实施例中，所述第一晶体管模块包括第一异质结双极型晶体管；

所述第一异质结双极型晶体管的集电极为所述第一晶体管模块的高电位端，所述第一异质结双极型晶体管的发射极为所述第一晶体管模块的低电位端，所述第一异质结双极型晶体管的基极为所述第一晶体管模块的受控端。

在本申请的实施例中，所述第二晶体管模块包括第二异质结双极型晶体管；

所述第二异质结双极型晶体管的集电极为所述第二晶体管模块的高电位端，所述第二异质结双极型晶体管的发射极为所述第二晶体管模块的低电位端，所述第二异质结双极型晶体管的基极为所述第二晶体管模块的受控端。

在本申请的实施例中，所述限流模块包括电阻，所述电阻的第一端为所述限流模块的第一端，所述电阻的第二端为所述限流模块的第二端。

在本申请的实施例中，所述异质结双极型晶体管由InP工艺制成。

在本申请的实施例中，所述异质结双极型晶体管的截止频率180GHz，最大直流增益为50。

本发明实施例的第二方面提供了一种压控振荡器芯片，其特征在于，包括基板和设置在所述基板上的以上所述的压控振荡器电路。